[发明专利]切割带一体型背面保护薄膜

说明书

本发明提供一种切割带一体型背面保护薄膜，其适于在为了于切割带(DT)上将晶圆单片化为芯片的刀具切割中、抑制在芯片侧面产生龟裂并实现在DT上将带有背面保护薄膜的芯片良好地拾取。本发明的DT一体型背面保护薄膜(X)具备作为背面保护薄膜的薄膜(10)和切割带(20)。薄膜(10)具有包含激光标记层(11)和粘接剂层(12)的层叠结构，且在激光标记层侧与切割带(20)所具有的粘合剂层(22)密合。对于在120℃下经过2小时的加热处理的薄膜(10)，对宽度10mm的薄膜试样片在规定条件下测定的、80℃下的拉伸储能模量为0.5GPa以上。在规定条件下的剥离试验中，薄膜(10)和粘合剂层(22)之间可显示出0.1N/20mm以下的粘合力。

技术领域

本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割带一体型背面保护薄膜。

背景技术

在制造具备要进行倒装芯片安装的半导体芯片的半导体装置时，有时使用用于在该芯片的所谓的背面形成保护膜的薄膜(背面保护薄膜)。这样的背面保护薄膜有时以与切割带一体化的形态提供。

现有的切割带一体型背面保护薄膜例如具有：包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、以及以能剥离的方式与该粘合剂层密合的热固性的背面保护薄膜。这样的切割带一体型背面保护薄膜例如以如下方式来使用。首先，切割带一体型背面保护薄膜中的背面保护薄膜面被贴合至作为工件的半导体晶圆上。接着，为了提高背面保护薄膜相对于该晶圆的密合力，通过加热使背面保护薄膜热固化(固化工序)。接着，在切割带一体型背面保护薄膜上保持有该晶圆的状态下进行用于使晶圆单片化为芯片的刀片切割(切割工序)。切割工序中，相对于晶圆和与其密合的背面保护薄膜，沿着晶圆上的切断预定线进行利用切割刀片的切削。由此，在切割带上，晶圆被切断而单片化为芯片，且背面保护薄膜被切断成相当于芯片大小的薄膜小片。即，经过切割工序而得到的芯片制成伴有用于在其背面形成保护膜的薄膜的形态。接着，经过清洗工序后，从切割带上拾取带有薄膜的芯片(拾取工序)。此时，作为拾取对象的带有薄膜的芯片中的薄膜需要从切割带的粘合剂层上适宜地剥离。现有的切割带一体型背面保护薄膜例如以如上方式来使用。涉及这样的切割带一体型背面保护薄膜的技术记载于例如下述专利文献1、2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-151360号公报

专利文献2：国际公开第2014/092200号

发明内容

发明要解决的问题

关于上述切割工序，已知：有在受到基于切割刀片的切削加工的晶圆上的背面保护薄膜侧的区域产生龟裂的情况；背面保护薄膜相对于晶圆的密合力或固定保持力越低越容易产生这样的龟裂。认为在背面保护薄膜固定保持晶圆的力不充分的情况下，起因于通过切割刀片进行切削加工时的冲击、摩擦而在晶圆切截面即芯片侧面形成的微小缺损(破片)、微小的裂纹会发展为龟裂。因此，在使用现有的切割带一体型背面保护薄膜的过程中，需要上述那样的用于提高背面保护薄膜相对于晶圆的密合力的固化工序。

然而，在上述固化工序中，虽然通过对背面保护薄膜进行热固化而使该薄膜相对于晶圆的密合力提高，但也使背面保护薄膜相对于切割带或其粘合剂层的密合力上升。这样的密合力的上升在固化工序之后的拾取工序中有时会阻碍从切割带粘合剂层剥离带有薄膜的芯片的薄膜，因此，有时会阻碍带有薄膜的芯片的拾取。

本发明是基于以上那样的情况而设计出的，其目的在于提供一种切割带一体型背面保护薄膜，其适于在用于在切割带上将晶圆单片化为芯片的刀片切割中抑制在芯片侧面产生龟裂、且实现从切割带上良好地拾取带有背面保护薄膜的芯片。

用于解决问题的方案