[发明专利]一种LTPS-TFT阵列基板及其制造方法和显示面板在审
申请号: | 201810680084.6 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108899325A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 聂晓辉;张嘉伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 薄膜晶体管 显示面板 像素电极 电连接 数据线定义 同一数据线 充电不足 多条扫描 方向设置 同一像素 显示品质 阵列基板 阵列排列 列方向 扫描线 输出端 输入端 数据线 线轴 申请 制造 对称 扫描 | ||
本申请提供了一种LTPS‑TFT阵列基板及其制造方法和显示面板,该LTPS‑TFT阵列基板包括沿行方向设置的多条扫描线、沿列方向设置的多条数据线以及由扫描线和数据线定义的呈阵列排列的多个像素,像素包括两个以扫描线轴对称的薄膜晶体管,其中,像素的两个薄膜晶体管的输入端与同一数据线电连接,并且像素的两个薄膜晶体管的输出端与同一像素的像素电极电连接。通过这种方式,本申请能够改善中大尺寸LTPS‑TFT显示面板因像素尺寸较大引起的像素电极充电不足问题,提升显示品质。
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种LTPS-TFT阵列基板及其制造方法和显示面板。
背景技术
LTPS-TFT(Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor)具有载流子迁移率高,器件尺寸小等突出优点,是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。
本申请的发明人在长期研发中发现,近年来,电视、手机等显示产品的平均尺寸在不断扩大,而在实际的生产应用中,随着LTPS-TFT液晶显示面板尺寸增大,像素尺寸增加,像素充电能力不足问题是制约其发展应用的突出问题之一。
发明内容
本申请实施例一方面提供了一种LTPS-TFT阵列基板,该LTPS-TFT阵列基板包括沿行方向设置的多条扫描线、沿列方向设置的多条数据线以及由扫描线和数据线定义的呈阵列排列的多个像素,像素包括两个以扫描线轴对称的薄膜晶体管,其中,像素的两个薄膜晶体管的输入端与同一数据线电连接,并且像素的两个薄膜晶体管的输出端与同一像素的像素电极电连接。
本申请实施例另一方面还提供一种LTPS-TFT阵列基板的制备方法,该方法包括:在基体上形成LTPS-TFT阵列基板的像素、扫描线以及数据线,其中,形成LTPS-TFT阵列基板的像素的步骤,包括形成像素的两个以扫描线轴对称的薄膜晶体管,其中,像素的两个薄膜晶体管的输入端与同一数据线电连接,并且像素的两个薄膜晶体管的输出端与同一像素的像素电极电连接。
另外,本申请实施例还提供一种LTPS-TFT显示面板,该LTPS-TFT显示面板包括:第一基板、第二基板及液晶层;第一基板和/或第二基板为上述实施例中所述的LTPS-TFT阵列基板;其中,所述液晶层位于所述第一基板及所述第二基板之间。
本申请实施例的有益效果是:区别于现有技术,本申请提供的LTPS-TFT阵列基板包括沿行方向设置的多条扫描线、沿列方向设置的多条数据线以及由扫描线和数据线定义的呈阵列排列的多个像素,像素包括两个以扫描线轴对称的薄膜晶体管,其中,像素的两个薄膜晶体管的输入端与同一数据线电连接,并且像素的两个薄膜晶体管的输出端与同一像素的像素电极电连接。本申请通过将薄膜晶体管器件对称设计,对称位置的两个的薄膜晶体管同时对同一像素的像素电极充电,使得像素电极整体充电均匀且充足,以提高中大尺寸LTPS-TFT液晶显示面板的像素充电能力和改善显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请LTPS-TFT阵列基板一实施例的结构示意图;
图2是图1中局部区域4的放大示意图;
图3是本申请LTPS-TFT显示面板一实施例的简易剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是,以下实施例仅用于说明本申请,但不对本申请的范围进行限定。同样的,以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的