[发明专利]一种LTPS-TFT阵列基板及其制造方法和显示面板在审
| 申请号: | 201810680084.6 | 申请日: | 2018-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN108899325A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
| 发明(设计)人: | 聂晓辉;张嘉伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 薄膜晶体管 显示面板 像素电极 电连接 数据线定义 同一数据线 充电不足 多条扫描 方向设置 同一像素 显示品质 阵列基板 阵列排列 列方向 扫描线 输出端 输入端 数据线 线轴 申请 制造 对称 扫描 | ||
1.一种LTPS-TFT阵列基板,其特征在于,包括:沿行方向设置的多条扫描线、沿列方向设置的多条数据线以及由所述扫描线和所述数据线定义的呈阵列排列的多个像素,所述像素包括两个以扫描线轴对称的薄膜晶体管,其中,所述像素的两个所述薄膜晶体管的输入端与同一所述数据线电连接,并且所述像素的两个所述薄膜晶体管的输出端与同一所述像素的像素电极电连接。
2.根据权利要求1所述的LTPS-TFT阵列基板,其特征在于,所述扫描线包括两条并联的子扫描线,所述像素的两个所述薄膜晶体管的栅极分别与两条并联的所述子扫描线的其中一条相连接。
3.根据权利要求1所述的LTPS-TFT阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的输入端位置设置有第一连接孔,所述薄膜晶体管的输出端位置设置有第二连接孔,其中,所述薄膜晶体管的所述输入端经所述第一连接孔连接所述数据线,所述薄膜晶体管的所述输出端经所述第二连接孔连接所述像素电极。
4.根据权利要求1所述的LTPS-TFT阵列基板,其特征在于,所述输入端为所述薄膜晶体管的源极与漏极中的一者,所述输出端为所述薄膜晶体管的源极与漏极中的另一者。
5.根据权利要求3所述的LTPS-TFT阵列基板,其特征在于,在所述薄膜晶体管的栅极上依次设置有层间绝缘层、所述数据线、像素金属层、平坦层、公共电极、钝化层及所述像素电极,在所述平坦层上对应的所述第二连接孔位置设有第三连接孔,在所述公共电极上对应的所述第三连接孔位置设有第四连接孔,在所述钝化层上对应的所述第四连接孔位置设有第五连接孔,其中,所述第二连接孔与所述第三连接孔为嵌套结构,所述第三连接孔与所述第四连接孔为嵌套结构,所述第四连接孔与所述第五连接孔为嵌套结构,所述像素电极经所述第五连接孔与所述薄膜晶体管的所述输出端连接。
6.一种LTPS-TFT阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基板上形成所述LTPS-TFT阵列基板的像素、扫描线以及数据线,其中,形成所述LTPS-TFT阵列基板的所述像素的步骤,包括形成所述像素的两个以扫描线轴对称的薄膜晶体管,其中,所述像素的两个所述薄膜晶体管的输入端与同一所述数据线电连接,并且所述像素的两个所述薄膜晶体管的输出端与同一所述像素的像素电极电连接。
7.根据权利要求6所述的LTPS-TFT阵列基板的制备方法,其特征在于,所述输入端为所述薄膜晶体管的源极与漏极中的一者,所述输出端为所述薄膜晶体管的源极与漏极中的另一者。
8.根据权利要求6所述的LTPS-TFT阵列基板的制备方法,其特征在于,形成所述薄膜晶体管的步骤,具体包括:提供一基板;在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层、低温多晶硅半导体层、栅绝缘层、栅极,其中,所述低温多晶硅半导体层具有规则分布的图案,为以扫描线轴对称的周期性结构。
9.根据权利要求8所述的LTPS-TFT阵列基板的制备方法,其特征在于,形成所述薄膜晶体管的所述栅极的步骤,包括制作栅极层,将所述栅极层图形化,以得到与所述像素的两个所述薄膜晶体管的所述栅极对应连接的两条并联的子扫描线,其中,两条所述并联的子扫描线形成一条扫描线。
10.一种LTPS-TFT显示面板,其特征在于,包括:
第一基板、第二基板及液晶层;所述第一基板和/或第二基板为权利要求1-5任一项所述的LTPS-TFT阵列基板;
其中,所述液晶层位于所述第一基板及所述第二基板之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





