[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

本申请是申请号为201510993622.3，申请日为2015年12月25日，发明创造名称为“基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种使用规定的处理气体进行基板处理的基板处理装置。

背景技术

近年来，随着半导体器件的精细化，替代干蚀刻、湿蚀刻这样的以往的蚀刻技术而使用被称作化学氧化物去除(Chemical Oxide Removal：COR)处理的、能够进行更精细化蚀刻的方法。

COR处理是如下那样的处理：在被保持为真空的处理容器内，例如对作为被处理体的半导体晶圆(以下，称作“晶圆”)供给处理气体，使这些气体和例如形成在晶圆上的膜发生反应而生成生成物。通过在下一工序中对利用COR处理在晶圆表面上生成的生成物进行加热处理而使该生成物升华，由此将晶圆表面的膜去除。

这样的COR处理是在一张张地对晶圆进行处理的单片式的处理装置中进行的，但近年来，为了提高生产率，有时也使用对多张晶圆同时进行处理的处理装置(专利文献1)。

在专利文献1的处理装置中，为了防止在多张、例如两张晶圆表面上处理气体的流动变得不均匀，提出一种设置用于将处理容器内分隔成处理空间和排气空间的挡板的方案。

专利文献1：日本特开2007－214513号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，近年来，晶圆处理的均匀性的要求变得严格，在所述那样的对两张晶圆同时进行处理的处理装置中，难以确保在各晶圆表面上的处理气体的均匀性。

另外，在对两张晶圆同时进行处理的处理装置中，还存在欲以独立的制程对各晶圆并行地进行处理这样的要求，并还期望相对于各晶圆形成独立的处理空间。

本发明是鉴于所述点而做出的，其目的在于，在处理容器内对多个基板独立且面内均匀地进行处理。

用于解决问题的方案

为了实现所述目的，本发明提供一种基板处理装置，其用于对基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳基板；载置台，其设有多个，该载置台用于在所述处理容器内载置基板；处理气体供给部，其用于自所述载置台的上方朝向所述载置台供给处理气体；排气机构，其用于对所述处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在所述处理容器内，该分隔壁以与各所述载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围各所述载置台；升降机构，其用于使所述分隔壁在退避位置与基板处理位置之间升降；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在所述处理容器的底面且以与所述载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，通过使所述分隔壁移动到所述基板处理位置，从而由所述分隔壁和所述内壁形成基板的处理空间，在所述内壁上形成有狭缝，经由所述狭缝进行所述处理空间内的处理气体的排气，在所述内壁上设有使所述处理空间内的处理气体以不直接流入所述狭缝的方式迂回的分隔板。