[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201810672284.7 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108878468B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 陈右儒 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 面板 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置,其中,显示基板的制作方法包括:提供一第一衬底;显示基板包括:设置在第一衬底上的多个像素区域;在第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极;在每个像素区域中:发光层包括多个间隔设置的发光单元,阳极和阴极均为整个连通的导电层,发光单元分别与阳极和阴极连接。本发明提供的技术方案通过将发光层设置为多个间隔设置的发光单元,当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时,部分键合良好的发光单元仍会发光,避免了当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时,造成的整个像素不亮的技术问题,提高了显示面板的良品率和显示效果。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术,具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
Micro发光二极管(Light-Emitting Diode,简称LED)技术,即LED微缩化和矩阵化技术,具体指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED 阵列。目前常用的发光二极管是氮化镓GaN基发光二极管LED,其实现了蓝光发光,完善了色谱,在彩色显示和照明领域得到了广泛的关注,市场前景越来越广。
现有的显示面板包括:阵列基板、发光层和阴极,其中,阵列基板包括:基底、设置在基底上的薄膜晶体管和设置在薄膜晶体管上,且与漏电极连接的阳极,其中,阳极和发光层通过键合连接。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置,能够避免阳极与发光层键合不良导致的像素不亮的技术问题,提高了显示面板的良品率和显示效果。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法,所述方法包括:
提供一第一衬底;显示基板包括:设置在第一衬底上的多个像素区域;
在所述第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极;
在所述每个像素区域中:所述发光层包括多个间隔设置的发光单元,所述阳极和所述阴极均为整个连通的导电层,所述发光单元分别与所述阳极和所述阴极连接。
可选地,所述在所述第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极包括:
在所述第一衬底的一侧形成阳极;所述阳极包括:间隔设置,且相互连接的子电极;
在第二衬底的一侧形成发光层;
将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合;
移除所述第二衬底;
在所述发光层远离所述第一衬底的一侧形成绝缘层;其中,所述绝缘层包括与所述子电极对应的第一过孔;
以所述绝缘层为掩膜板,采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀;
在所述绝缘层上形成阴极。
可选地,所述在第二衬底的一侧形成发光层包括:
在所述第二衬底的一侧形成N型半导体层;
在所述N型半导体层远离所述第二衬底的一侧形成多量子阱层;
在所述多量子阱层远离所述第二衬底的一侧形成P型半导体层;
在所述P型半导体层远离所述第二衬底的一侧形成欧姆接触层;
在所述欧姆接触层远离所述第二衬底的一侧形成扩散阻挡层;
在扩散阻挡层远离所述第二衬底的一侧形成反射层;
在所述反射层远离第二衬底的一侧形成粘附层。
可选地,所述将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的