[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一第一衬底；显示基板包括：设置在第一衬底上的多个像素区域；

在所述第一衬底的一侧形成阳极；所述阳极包括：间隔设置，且相互连接的子电极；

在第二衬底的一侧形成发光层；

将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合；

移除所述第二衬底；

在所述发光层远离所述第一衬底的一侧形成绝缘层；其中，所述绝缘层包括与所述子电极对应的第一过孔；

以所述绝缘层为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀；

在所述绝缘层上形成阴极；

在所述每个像素区域中：所述发光层包括多个间隔设置的发光单元，所述阳极和所述阴极均为整个连通的导电层，所述发光单元分别与所述阳极和所述阴极连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第二衬底的一侧形成发光层包括：

在所述第二衬底的一侧形成N型半导体层；

在所述N型半导体层远离所述第二衬底的一侧形成多量子阱层；

在所述多量子阱层远离所述第二衬底的一侧形成P型半导体层；

在所述P型半导体层远离所述第二衬底的一侧形成欧姆接触层；

在所述欧姆接触层远离所述第二衬底的一侧形成扩散阻挡层；

在扩散阻挡层远离所述第二衬底的一侧形成反射层；

在所述反射层远离第二衬底的一侧形成粘附层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合包括：

采用倒装焊设备或者晶圆键合设备，在1-50千牛，温度低于300摄氏度的条件下将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述移除所述第二衬底包括：

采用混合指示剂对第二衬底进行减薄，使所述第二衬底的厚度小于或者等于100微米；

对减薄处理后的第二衬底进行移除。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一过孔在第一衬底上的正投影与所述子电极在第一衬底上的正投影重合。

6.一种显示基板，采用权利要求1-5任一项所述的方法制备，其特征在于，包括：设置在第一衬底上的多个像素区域，所述显示基板包括：设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；

在所述每个像素区域中：所述发光层包括多个间隔设置的发光单元，所述阳极和所述阴极均为整个连通的导电层，所述发光单元分别与所述阳极和所述阴极连接。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述阳极包括：间隔设置，且相互连接的子电极；

所述显示基板还包括：设置在所述发光层远离第一衬底的一侧的绝缘层；

其中，所述绝缘层包括与所述子电极对应的第一过孔。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一过孔在第一衬底上的正投影与所述子电极在第一衬底上的正投影重合。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元在第一衬底上的正投影覆盖所述第一过孔在第一衬底上的正投影。

10.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层的材料包括：氧化硅、氮化硅或者光刻胶。

11.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元包括：金属层、P型半导体层、多量子阱层和N型半导体层；

所述金属层设置在所述阳极远离第一衬底的一侧；

所述P型半导体层设置在所述金属层远离第一衬底的一侧；

所述多量子阱层设置在所述P型半导体层远离第一衬底的一侧；

所述N型半导体层设置在所述多量子阱层远离第一衬底的一侧。