[发明专利]开关电路在审
| 申请号: | 201810671674.2 | 申请日: | 2018-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN110649920A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
| 发明(设计)人: | 蔡佳琪;高立龙 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁丽超;李子光 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 输入端点 电位 电位平移电路 输入电压 导通电压 平移电压 输出端点 导通 平移 导通状态 开关电路 耦接 | ||
一种开关电路,包含:一开关以及一电位平移电路。该开关包含一导通端点以及一输入端点,该输入端点系用以接收一输入电压,而该导通端点上的一导通电压控制该开关的导通状态。该电位平移电路包含一电位输入端点以及一电位输出端点,其中该电位输入端点耦接至该输入端点以接收该输入电压,该电位平移电路系用以平移该输入电压以产生一平移电压于该电位输出端点,以及该导通电压系由该平移电压所决定。
技术领域
本发明系有关于一开关电路,尤指一种线性度高、适用于负电压操作且能应用于高功率输出的音频产品的电路。
背景技术
传统的模拟开关通常以传输门(transmission gate)来实现,利用P型金属氧化物半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)以及N型金属氧化物半导体场效晶体管的并联来降低等效阻抗,并同时增加线性度,但除非付出相当大的面积成本,达到的规格仍不足以提供音频产品使用,且由于金属氧化物半导体场效晶体管的源极端与基极会连结在一起,一旦输入电压为负电压,则会透过P型金属氧化物半导体场效晶体管的基极与P型基板(P-substrate)导通造成漏电流,因此,以传输门来实现的开关电路不适于,举例来说,接地参考(ground reference)耳机放大器(headphoneamplifier,HP_AMP)等产品的使用,而这是目前音频产品经常使用之架构,用以节省零件的成本。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种开关电路来解决先前技术中的问题,其中该开关电路具有线性度高且不受输入电压的负电压影响的特性。
根据本发明的一实施例,揭露一种开关电路,包含:一开关以及一电位平移电路,其中该开关包含一导通端点以及一输入端点,该输入端点系用以接收一输入电压,而该导通端点上的一导通电压控制该开关的导通状态;该电位平移电路包含一电位输入端点以及一电位输出端点,其中该电位输入端点耦接至该输入端点以接收该输入电压,该电位平移电路系用以平移该输入电压以产生一平移电压于该电位输出端点,以及该导通电压系由该平移电压所决定。
附图说明
图1系根据本发明一实施例之开关电路的示意图。
图2系根据本发明一实施例之电位平移电路的示意图。
图3系根据本发明另一实施例之电位平移电路的示意图。
具体实施方式
在说明书及后续的权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本说明书及后续的权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的「包含」系为一开放式的用语,故应解释成「包含但不限定于」。此外,「耦接」一词在此系包含任何直接及间接的电气连接手段,因此,若文中描述一第一装置耦接于一第二装置,则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置,或者透过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
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