[发明专利]开关电路在审
| 申请号: | 201810671674.2 | 申请日: | 2018-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN110649920A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
| 发明(设计)人: | 蔡佳琪;高立龙 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁丽超;李子光 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 输入端点 电位 电位平移电路 输入电压 导通电压 平移电压 输出端点 导通 平移 导通状态 开关电路 耦接 | ||
1.一种开关电路,包含:
一开关,包含一导通端点以及一输入端点,其中该输入端点用以接收一输入电压,以及该导通端点上的一导通电压控制该开关的导通状态;以及
一电位平移电路,包含一电位输入端点以及一电位输出端点,其中该电位输入端点耦接至该开关的该输入端点以接收该输入电压,该电位平移电路用以平移该输入电压以产生一平移电压于该电位输出端点,以及该导通电压由该平移电压所决定。
2.根据权利要求1所述的开关电路,其中该开关包含一金属氧化物半导体场效晶体管。
3.根据权利要求2所述的开关电路,其中该导通端点耦接至该金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极端。
4.根据权利要求2所述的开关电路,其中该开关的该输入端点耦接至该金属氧化物半导体场效晶体管的一源极端。
5.根据权利要求1所述的开关电路,另包含:
一缓冲电路,耦接于该电位输出端点以及该导通端点之间,用以接收该电位输出端点上的该平移电压以产生该导通电压于该导通端点上。
6.根据权利要求5所述的开关电路,其中该缓冲电路包含一第一输入端、一第二输入端以及一输出端,该第二输入端耦接至该输出端,该输出端耦接至该导通端点,该第一输入端耦接至该电位平移电路的该电位输出端点。
7.根据权利要求1所述的开关电路,其中该电位平移电路包含一第一晶体管,该电位输入端点耦接至该第一晶体管的一栅极端,该电位输出端点耦接至该第一晶体管的一源极端。
8.根据权利要求7所述的开关电路,其中该电位平移电路另包含一第二晶体管,该电位输出端点耦接至该第二晶体管的一漏极端,该第二晶体管的一栅极端耦接至该第一晶体管的一漏极端。
9.根据权利要求7所述的开关电路,其中该电位平移电路另包含一电流源,该电流源耦接于一参考电压以及该第一晶体管的该源极端之间,或者,该电位平移电路另包含一电流源,该电流源耦接于一参考电压以及该第一晶体管的一漏极端之间。
10.根据权利要求7所述的开关电路,其中该电位平移电路另包含一放大器,该电位输出端点耦接至该放大器的一输出端,该放大器的一第一输入端耦接至该第一晶体管的一漏极端。
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