[发明专利]集成电路存储器设备及其操作方法

说明书

一种存储器设备包括：存储单元阵列，其包括存储单元；行解码器，其通过字线与存储单元阵列连接；列解码器，其通过位线和源线与存储单元阵列连接；以及写入驱动器，其在写入操作中输出写入电压。列解码器包括开关，开关分别连接到位线并分别连接到源线。在写入操作期间，开关中的选择的开关将写入电压传送到位线中的选择的位线。开关中的每个未选择的开关通过使用写入电压将写入驱动器与位线中的相应未选择的位线电分离。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月26日提交的第10-2017-0080523号和于2018年3月19日提交的第10-2018-0031548号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思的实施例涉及半导体设备，并且更具体地涉及存储器设备和操作存储器设备的方法。

背景技术

存储器设备可以包括存储单元并且可以将数据存储在存储单元中。需要电力来保持存储在存储单元中的数据的存储器设备被称为“易失性存储器设备”，而不需要电力来保持存储在存储单元中的数据的存储器设备被称为“非易失性存储器设备”。

将数据存储在存储单元中的操作称为“写入操作”。为了执行存储器设备的写入操作，可以将特定电平的写入电压或写入电流施加到存储单元。

由于存储器设备被设计为适合于低电力，所以供应给存储器设备的电源电压降低。并且，随着电源电压降低，电源电压可能低于典型的写入电压。因此，随着电源电压降低，存储器设备中可能出现会影响操作的可靠性的新问题。

发明内容

本发明构思的实施例提供了存储器设备和操作存储器设备的方法，其解决了在电源电压降低到小于典型的写入电压的电平时可能发生的问题。

根据本发明构思的一些实施例，一种存储器设备包括：存储单元阵列，其包括存储单元；行解码器，其通过字线与存储单元阵列连接；列解码器，其通过位线和源线与存储单元阵列连接；以及写入驱动器，其在写入操作中输出写入电压。列解码器包括开关，开关分别连接到位线并分别连接到源线。在写入操作期间，开关中的选择的开关将写入电压传送到位线中的选择的位线。开关中的未选择的开关通过使用写入电压将写入驱动器与位线中的未选择的位线电分离。

根据本发明构思的另一实施例，一种存储器设备包括：存储单元阵列，其包括存储单元；行解码器，其通过字线与存储单元阵列连接；列解码器，其通过位线和源线与存储单元阵列连接；写入驱动器，其在写入操作中输出写入电压；以及感测放大器，其在读取操作中输出读取电压。列解码器包括分别连接到位线并分别连接到源线的开关、以及读取和写入解码器，该读取和写入解码器在写入操作期间将位线和源线与写入驱动器连接，并且在读取操作期间将位线和源线与感测放大器连接。开关中的每个可以包括连接相应位线和写入驱动器的第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管。在写入操作期间，在从开关中选择的开关中，电源电压被传送到第一NMOS晶体管的栅极，并且接地电压被传送到第一PMOS晶体管的栅极。然而，也在写入操作期间，在开关中的未选择的开关中，接地电压被传送到第一NMOS晶体管的栅极，并且写入电压被传送到第一PMOS晶体管的栅极。

根据本发明构思的另一实施例，一种操作包括连接到字线、位线和源线的存储单元的存储器设备的方法包括：在连接到从位线中选择的位线的第一传输门处建立电源电压和接地电压，从而将写入电压传送到选择的位线；以及在连接到位线中的未选择的位线的第二传输门处建立写入电压和接地电压，从而将写入电压传送到未选择的位线。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他目的和特征将变得明显。

图1是图示根据本发明构思的实施例的存储器设备的框图。

图2是在图1的存储器设备中可使用的存储单元的电气原理图。