[发明专利]集成电路存储器设备及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

存储单元阵列，包括存储单元；

行解码器，通过字线与存储单元阵列连接；

列解码器，通过位线和源线与存储单元阵列连接；以及

写入驱动器，被配置为在写入操作中输出写入电压，

其中，所述列解码器包括开关，

其中，所述开关中的每个连接到所述位线中的相应位线和所述源线中的相应源线，以及

其中，在写入操作中，所述开关中的选择的开关将写入电压传送到所述位线中的选择的位线，并且所述开关中的未选择的开关通过使用写入电压将写入驱动器与所述位线中的未选择的位线电分离。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述开关中的每个包括：

第一晶体管，具有连接到接地节点的第一端、反转的位线信号被传送到的栅极、以及连接到相应位线的第二端；

第二晶体管，具有连接到第一节点的第一端、连接到相应位线的栅极、以及连接到写入驱动器的第二端；

第三晶体管，连接在接地节点与第一节点之间并通过位线信号来控制；以及

第一传输门，连接在第一晶体管的第二端与写入驱动器之间，并通过位线信号和第一节点的电压来控制。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述开关中的每个还包括：

第四晶体管，具有连接到接地节点的第一端、反转的位线信号被传送到的栅极、以及连接到相应源线的第二端；

第五晶体管，具有连接到第二节点的第一端、连接到相应源线的栅极、以及连接到写入驱动器的第二端；

第六晶体管，连接在接地节点与第二节点之间并通过位线信号来控制；以及

第二传输门，连接在第四晶体管的第二端与写入驱动器之间并通过位线信号和第二节点的电压来控制。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述开关中的每个包括连接在相应位线与写入驱动器之间的NMOS晶体管和PMOS晶体管，以及

其中，在写入操作中，电源电压被传送到选择的开关的NMOS晶体管的栅极，并且接地电压被传送到选择的开关的PMOS晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，写入电压高于电源电压。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述开关中的每个包括连接在相应位线与写入驱动器之间的NMOS晶体管和PMOS晶体管，以及

其中，在写入操作中，接地电压被传送到未选择的开关的NMOS晶体管的栅极，并且写入电压被传送到未选择的开关的PMOS晶体管的栅极。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括：

感测放大器，被配置为在读取操作中输出读取电压，

其中，所述列解码器还包括：

读取和写入解码器，被配置为在写入操作中将开关与写入驱动器连接，并且在读取操作中将开关与感测放大器连接。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述列解码器还包括：

均衡器，被配置为响应于均衡信号将开关与写入驱动器之间的布线均衡为接地电压。

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，当均衡器将布线均衡时，所述开关将所述位线和所述源线均衡为接地电压。

10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，写入操作将从所述存储单元中选择的存储单元的状态从第一状态切换到第二状态，以及

其中，在将选择的存储单元的状态从第二状态切换到第一状态的第二写入操作中，选择的开关将写入电压传送到选择的源线，并且未选择的开关通过使用写入电压将写入驱动器与未选择的源线电分离。