[发明专利]一种微小间距LED芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种微小间距LED芯片及其制作方法。其中，LED芯片包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层和第一电极，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的反射层，设于反射层上的扩散阻挡层，设于扩散阻挡层上的钝化层，设于钝化层上的第二电极，设于第二电极上的绝缘层，设于绝缘层上的种子层，设于种子层上的金属支持层，设于第一电极和第二电极上的焊料层，所述焊料层的融化温度为200‑350℃。本发明通过焊料层可以直接固定芯片，将芯片与基板形成导电连接；进一步地，焊料层还能作为热传导，将芯片的热量传导到基板上，本发明的芯片不需要打线，有效地缩小了芯片之间的间距，提高显示屏的分辨率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种微小间距LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

现在LED显示屏对分辨率的要求越来越高，如何缩小LED封装器件的间距，已经成为LED显示屏领域的热点问题。

传统的LED芯片主要通过锡膏焊和共晶焊的方式焊接在基板上。图1为正装LED芯片的焊接方式，正装LED芯片需要打线，占用空间大，不利于缩减LED芯片的封装间距。

公告号为CN104733600B的专利公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，在芯片的P电极和N电极上形成一层锡膏层，由该方法制得的倒装芯片可直接压焊在封装基板上，简化了封装工艺，降低生产成本。其中，所述锡膏层的材料为下列合金中的一种：Sn63合金、Sn62合金、Sn60合金。由于该锡膏层的材料主要为Sn合金，因此该倒装LED芯片在压焊时，容易因为温度过高而导致死灯。

此外，上述专利采用植锡球法在未被金属阻挡层覆盖的P形焊接电极和N型焊接电极区域上形成一层锡膏层，该方法不能精准控制用于形成锡膏层的原料给量，控制锡膏层厚度，不能解决芯片在焊接过程中翘焊、虚焊、偏焊等不良情况，因此，上述专利需要在电极的边缘四周形成金属阻挡层，用于阻挡锡膏层，由于锡球对小间距的芯片造成挤压而发生短路。

进一步地，焊接时，对零部件放置所施加的压力，容易造成芯片损伤。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种微小间距LED芯片，可直接压焊在封装基板上，缩小焊接在封装基板上的芯片间距。

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种微小间距LED芯片的制作方法，提高焊接精准度、减轻零件施工压力的作用，同时准确控制焊料用量及芯片位置。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种微小间距LED芯片，包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层和第一电极，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的反射层，设于反射层上的扩散阻挡层，设于扩散阻挡层上的钝化层，设于钝化层上的第二电极，设于第二电极上的绝缘层，设于绝缘层上的种子层，设于种子层上的金属支持层，设于第一电极和第二电极上的焊料层，所述焊料层的融化温度为200-350℃，其中，第二电极贯穿所述钝化层并与扩散阻挡层导电连接。

作为上述方案的改进，所述焊料层的厚度为1-50微米。

作为上述方案的改进，所述焊料层的厚度为5-20微米。

作为上述方案的改进，所述焊料层的面积小于第一电极和/或第二电极的面积。

作为上述方案的改进，其面积不大于1200平方微米。

相应地，本发明还提高了一种微小间距LED芯片的制作方法，包括：