[发明专利]一种微小间距LED芯片及其制作方法在审

申请号：	201810666611.8	申请日：	2018-06-26
公开（公告）号：	CN108963050A	公开（公告）日：	2018-12-07
发明（设计）人：	陈凯;徐亮;赵兵;吴亦容	申请（专利权）人：	佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号：	H01L33/48	分类号：	H01L33/48;H01L33/00
代理公司：	广州三环专利商标代理有限公司 44202	代理人：	胡枫
地址：	528200 广东省佛山市南海区狮***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	半导体层焊料层芯片第二电极绝缘层扩散阻挡层第一电极钝化层反射层种子层衬底基板源层金属支持层导电连接热量传导直接固定热传导有效地分辨率打线制作显示屏融化
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【权利要求书】：

1.一种微小间距LED芯片，包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层和第一电极，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的反射层，设于反射层上的扩散阻挡层，设于扩散阻挡层上的钝化层，设于钝化层上的第二电极，设于第二电极上的绝缘层，设于绝缘层上的种子层，设于种子层上的金属支持层，设于第一电极和第二电极上的焊料层，所述焊料层的融化温度为200-350℃，其中，第二电极贯穿所述钝化层并与扩散阻挡层导电连接。

2.如权利要求1所述的微小间距LED芯片，其特征在于，所述焊料层的厚度为1-50微米。

3.如权利要求2所述的微小间距LED芯片，其特征在于，所述焊料层的厚度为5-20微米。

4.如权利要求1所述的微小间距LED芯片，其特征在于，所述焊料层的面积小于第一电极和/或第二电极的面积。

5.如权利要求1所述的微小间距LED芯片，其特征在于，其面积不大于1200平方微米。

6.一种微小间距LED芯片的制作方法，包括：

提出发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层和第一电极，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的第二电极；

对发光结构进行低温退火，退火温度为200-350℃；

在第一电极和第二电极表面形成焊料层，所述焊料层的融化温度为200-350℃。

7.如权利要求6所述的微小间距LED芯片的制作方法，其特征在于，所述焊料层的厚度为1-50微米。

8.如权利要求6所述的微小间距LED芯片的制作方法，其特征在于，所述焊料层由Au、In、Cu、Ni、Co中的一种或几种金属制成。

9.如权利要求6所述的微小间距LED芯片的制作方法，其特征在于，采用电子束蒸发或者磁控溅射方式在第一电极和第二电极的表面沉积焊料层。

10.如权利要求6所述的微小间距LED芯片的制作方法，其特征在于，采用离子化学镀的方式在第一电极和第二电极的表面形成焊料层。