[发明专利]一种掩膜版及配向曝光方法在审
| 申请号: | 201810665897.8 | 申请日: | 2018-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN108873597A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
| 发明(设计)人: | 刘厚文;林祥;潘浩;李龙 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G02F1/1337 |
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| 地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 遮光板 透光单元 透光区 掩膜版 等间距排列 控制平台 遮光区 不良问题 配向基板 平行设置 同步运动 配向 叠加 垂直 曝光 | ||
本发明公开了一种掩膜版,包括:平行设置的第一遮光板和第二遮光板以及固定第一遮光板和第二遮光板的控制平台,第一遮光板位于待配向基板的上方,第二遮光板位于第一遮光板的上方;控制平台带动第一遮光板和第二遮光板沿第一方向和第二方向同步运动,第一遮光板包括至少一个第一透光区,第一透光区包括沿第一方向等间距排列的多个第一透光单元所述第一透光单元的周围为第一遮光区,第二遮光板包括至少一个第二透光区,第二透光区包括沿第一方向等间距排列的多个第二透光单元,第二透光单元的周围为第二遮光区,第一方向和第二方向相互垂直,可以解决现有掩膜版叠加造成产品不良问题,同时可以降低成本,提升产品的质量。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,特别涉及液晶面板制造中使用的掩膜版以及使用该掩膜版进行像素配向曝光的方法。
背景技术
液晶显示器在制造过程中,配向技术是一个比较关键的技术,其中光配向技术不仅仅在制程上存在巨大优势,同时在最终的产品性能中也存在明显的进步。
如图1所示为现有技术配向曝光流程示意图,基板1进入(Plate in)机台,曝光单元(Exposure Unit)对基板1进行第一次配向曝光,基板1旋转180°(Plate rotation),曝光单元(Exposure Unit)对基板1进行第二次配向曝光,如图2所示第一次配向曝光示意图,基板1在曝光单元的光照下沿第一方向2进行曝光,如图3所示第二次配向曝光示意图,基板1在曝光单元的光照下沿第二方向3进行曝光,如图4所示为曝光完成后像素配向示意图,RGB(红绿蓝)像素中每个像素都有一半的曝光方向是第一方向2,一半的曝光方向是第二方向3,如图5所示为现有技术中掩膜版结构示意图,掩膜版6包括图案化区5以及掩膜版信息区4,图案化区5包括多个版图,如图6所示图案化区包括遮光区7和透光区8,曝光时光源通过图案化区的透光部分和遮光部分,对基板进行曝光,如图7所示为现有技术掩膜版排布示意图,使用过程中,第一平台9包括四个掩膜版6,第二平台10包括五个掩膜版6,第一平台9和第二平台10的掩膜版6交错排布,如图8所示为掩膜版使用示意图,第一平台9和第二平台10上下设置,光源通过掩膜版6的透光区,对基板进行光配向曝光操作。
现有技术存在以下缺陷:
1、对基板的完整配向采用的是掩膜版多块拼接技术,拼接位置无法有效保证光的透过量和遮光量,易造成过度配向或者配向不足。
2、每块掩膜版单独配向易造成控制精度误差的叠加,造成产品不良。
3、掩膜版的石英材质容易造成光污染。
4、对于每个尺寸的产品,都需要单独配置对应的掩膜版,成本比较高。
5、对于单行图案进行曝光时,会因为其他行的图案不能完全遮光,易造成错误配向。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种掩膜版及配向曝光方法,可以解决现有掩膜版叠加造成产品不良问题,同时可以降低成本,提升产品的质量。
本发明公开了一种掩膜版,包括:平行设置的第一遮光板和第二遮光板以及固定第一遮光板和第二遮光板的控制平台,第一遮光板位于待配向基板的上方,第二遮光板位于第一遮光板的上方;所述控制平台带动第一遮光板和第二遮光板沿第一方向和第二方向同步运动,所述第一遮光板包括至少一个第一透光区,所述第一透光区包括沿第一方向等间距排列的多个第一透光单元所述第一透光单元的周围为第一遮光区,所述第二遮光板包括至少一个第二透光区,所述第二透光区包括沿第一方向等间距排列的多个第二透光单元,所述第二透光单元的周围为第二遮光区,所述第一方向和第二方向相互垂直。
优选的,所述第一遮光板的长度和第二遮光板的长度均不小于待配向基板的长度。
优选的,所述第一透光单元和第二透光单元与待配向基板的单行像素数量相同。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





