[发明专利]一种mini LED和micro LED的测试方法

说明书

本发明公开了一种mini LED和micro LED的测试方法，包括：S1 配备供测试的芯片测试台，芯片测试台表面包括至少一对电极条，每对电极条中包括平行设置的正电极条和负电极条；S2 将待测试mini LED或micro LED排列于芯片测试台上得到测试芯片阵列，其中，一颗mini LED或micro LED置于一对电极条上，且芯片正极与正电极条接触、芯片负极与正电极条接触；S3 对芯片测试台表面的电极条进行通电，实现测试芯片阵列的批量测试。简单方便，无需采用传统的逐个电测的方法进行测试分选，大大提高了芯片的测试效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种mini LED和micro LED的测试方法。

背景技术

Mini LED和micro LED作为新一代的显示技术，将LED结构进行微小化而来，继承了LED的特点，具备低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省点、寿命较长、效率较高等优点。

在制备mini LED和micro LED的过程中，通常来说，一片晶圆片上芯片的数量非常庞大，若使用传统的方法逐个对其进行测试分选，无疑会耗费大量的时间。

发明内容

本发明的目的是提供一种mini LED和micro LED的测试方法，有效解决现有技术中mini LED和micro LED测试效率低下的技术问题。

本发明提供的技术方案如下：

一种mini LED和micro LED的测试方法，包括：

S1配备供测试的芯片测试台，所述芯片测试台表面包括至少一对电极条，每对电极条中包括平行设置的正电极条和负电极条；

S2将待测试mini LED或micro LED排列于所述芯片测试台上得到测试芯片阵列，其中，一颗mini LED或micro LED置于一对电极条上，且芯片正极与正电极条接触、芯片负极与正电极条接触；

S3对芯片测试台表面的电极条进行通电，实现测试芯片阵列的批量测试。

进一步优选地，在步骤S3之后，还包括：

S4使用拍照设备记录测试芯片阵列的发光形貌图片；

S5根据记录发光形貌图片进行分析，并记录发光异常芯片的位置信息。

进一步优选地，在芯片测试台表面，每对电极条中正电极条和负电极条之间的距离与mini LED或micro LED中芯片正极和芯片负极之间的距离匹配。

进一步优选地，在芯片测试台表面，每对电极条上包括用于放置mini LED 或micro LED的标记信息，mini LED或micro LED根据该标记信息排列在电极条上。

本发明提供的mini LED和micro LED的测试方法，在芯片测试台上设置至少一对电极条，每对电极条上可放置多个待测试的mini LED或micro LED，以此形成测试芯片阵列，实现mini LED或micro LED的批量测试，之后通过拍照的方式得到芯片的发光形貌图片并以此进行分析，找出发光异常芯片所在位置，简单方便，无需采用传统的逐个电测的方法进行测试分选，大大提高了芯片的测试效率。

附图说明

下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对上述特性、技术特征、优点及实现方式予以进一步说明。

图1为本发明中mini LED和micro LED测试方法一种实施方式流程示意图；

图2为本发明一实例中芯片测试台表面包括两对电极条示意图；

图3为本发明一实例中芯片测试台表面形成2*2的测试芯片阵列示意图；