[发明专利]一种解决金刚线湿法刻蚀黑硅电池片EL不良的方法有效

专利信息
申请号: 201810660030.3 申请日: 2018-06-25
公开(公告)号: CN108963031B 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 章天瑜;张文锋;胡玉婷;张文超;范启泽;张雄伟 申请(专利权)人: 东方日升新能源股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 代理人: 骆文军
地址: 315600 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 解决 金刚 湿法 刻蚀 电池 el 不良 方法
【权利要求书】:

1.一种解决金刚线湿法刻蚀黑硅电池片 EL 不良的方法,它包括以下步骤:

1) 制绒:将原硅片通过去除损伤层、银沉积、挖孔、初步脱银、扩孔的处理后,以上步骤间都有水漂洗,通过一种化学混合液处理,所述混合液为氢氧化 钾、氨水、双氧水和水组成的碱性混合液,且混合液中的体积比为氢氧化钾: 氨水:双氧水:水=1~30:2~9:1~19:180~235,所述的氢氧化钾的浓度为 40%~48%, 所述的氨水的浓度为 20%~27%,所述的双氧水的浓度为 22%~30%,并将湿法黑硅制绒硅片减重控制在 0.35~0.45g;

2) 从正常产线流程的扩散工序开始进入到正常产线流程中处理即可,就是依次进行扩散、去PSG、刻蚀、PECVD 镀膜、丝网印刷和测试;

在步骤1)中处理时,利用清洗机进行水漂洗,所述的清洗机的进料速度控制在205~250s/480片;混合液中氢氧化钾的补充原则为每过480 片湿法黑硅扩孔后的硅片后补充110~300ml,氨水的补充原则为每过480 片湿法黑硅扩孔后的硅片后补充 90~200ml;双氧水的补充原则为每过480 片湿法黑硅扩孔后的硅片后补充 150~300ml;温度控制在室温即可,浸泡时间为160s;

所述的步骤 2)中扩散处理时,方阻控制在 80~110Ω; 所述的步骤 2)中刻蚀处理时,减重控制在 0.1~0.2g。

2.根据权利要求1所述的一种解决金刚线湿法刻蚀黑硅电池片EL不良的方法,其特征在于:所述的混合液中的体积比为氢氧化钾:氨水:双氧水:水

=2~23:3~6:1~15:191~229。

3.根据权利要求2所述的一种解决金刚线湿法刻蚀黑硅电池片EL不良的方法,其特征在于:所述的混合液中的体积比为氢氧化钾:氨水:双氧水:水

=23:5:15:192。

4.根据权利要求1所述的一种解决金刚线湿法刻蚀黑硅电池片EL不良的方法,其特征在于:所述的氢氧化钾的浓度为 42%~46%。

5.根据权利要求1所述的一种解决金刚线湿法刻蚀黑硅电池片EL不良的方法,其特征在于:所述的氨水的浓度为 22%~26%。

6.根据权利要求1所述的一种解决金刚线湿法刻蚀黑硅电池片EL不良的方法,其特征在于:所述的双氧水的浓度为 24%~29%。

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