[发明专利]耦合度可调的定向耦合器及其耦合度调节方法

权利要求书

1.一种耦合度可调的定向耦合器，其特征在于，包括耦合线路层、第一接地层及调节柱，所述耦合线路层与所述第一接地层间隔设置，所述耦合线路层包括间隔设置形成耦合间隙的第一导电体和第二导电体；还包括第二接地层、第一介质层及第二介质层，所述耦合线路层设置于所述第一接地层与所述第二接地层之间，且所述第一介质层夹设于所述第一接地层与所述耦合线路层之间、以及所述第二介质层夹设于所述第二接地层与所述耦合线路层之间；

所述第一接地层设有调节区，所述调节区正对所述耦合间隙设置，且所述调节区内设有至少一个能供所述调节柱插入的第一调节孔，所述第一介质层设有与所述第一调节孔相通、且一一对应的第二调节孔；或者，所述第一接地层及第二接地层均设有所述第一调节孔，所述第一介质层或/和所述第二介质层设有与所述第一调节孔相通、且一一对应的第二调节孔；

所述调节柱能够插入所述第一调节孔及所述第二调节孔内，且所述调节柱为介质柱。

2.根据权利要求1所述的定向耦合器，其特征在于，所述调节柱至少为两个，且至少有两个所述调节柱之间的介电常数不相同。

3.根据权利要求1所述的定向耦合器，其特征在于，所述第一调节孔至少为两个，且沿所述调节区的长度方向均匀间隔设置。

4.根据权利要求1所述的定向耦合器，其特征在于，所述第一调节孔的边缘不超出所述耦合间隙的内边缘设置。

5.根据权利要求1所述的定向耦合器，其特征在于，所述耦合线路层还包括相互耦合的第三导电体及第四导电体，所述第三导电体与所述第一导电体对接导通，所述第四导电体与所述第二导电体对接导通，且所述第一导电体与所述第二导电体平行间隔设置形成所述耦合间隙。

6.根据权利要求2至5任一项所述的定向耦合器，其特征在于，所述调节柱高度大于所述第二调节孔的深度。

7.根据权利要求6所述的定向耦合器，其特征在于，所述第二调节孔的横截面形状与所述第一调节孔的横截面形状相同，且所述调节柱的横截面形状与所述第一调节孔的横截面形状相适配。

8.根据权利要求7所述的定向耦合器，其特征在于，所述第一介质层的介电常数与所述第二介质层的介电常数相同。

9.根据权利要求7所述的定向耦合器，其特征在于，至少有一个所述调节柱的介电常数大于所述第一介质层的介电常数，至少有一个所述调节柱的介电常数小于所述第一介质层的介电常数。

10.一种如权利要求1至9任一项所述的定向耦合器的耦合度调节方法，其特征在于，包括如下步骤：

测试定向耦合器的耦合度，获取测量值；

将所述测量值与要求达到的 预设耦合度范围进行比对；

若所述测量值不在预设耦合度范围内，通过向调节区内的第一调节孔填充调节柱来调节所述定向耦合器的耦合度，使得调节后的所述定向耦合器的耦合度测量值在预设耦合度范围内。

11.根据权利要求10所述的耦合度调节方法，其特征在于，通过向调节区内的第一调节孔填充调节柱来调节所述定向耦合器的耦合度的具体步骤如下：

若所述测量值小于预设耦合度范围的最小值，填充介电常数高于第一介质层的介电常数及第二介质层的介电常数的调节柱；

若所述测量值大于预设耦合度范围的最大值，填充介电常数低于第一介质层的介电常数及第二介质层的介电常数的调节柱。