[发明专利]半导体器件以及包括其的半导体系统有效

专利信息
申请号: 201810649241.7 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN110060714B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 金昌铉;金载镒 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;李少丹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 以及 包括 半导体 系统
【说明书】:

本发明公开了一种半导体器件以及包括其的半导体系统。半导体器件包括操作控制电路和模式寄存器激活信号发生电路。操作控制电路响应于外部设置信号和命令而产生芯片识别储存控制信号、选择识别储存控制信号和模式寄存器设置信号。模式寄存器激活信号发生电路响应于芯片识别储存控制信号和选择识别储存控制信号而产生芯片识别和选择识别。当芯片识别与选择识别相同时,模式寄存器激活信号发生电路还响应于模式寄存器设置信号而产生用于控制模式寄存器设置操作的模式寄存器激活信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月18日提交的申请号为10-2018-0006509的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体器件以及包括该半导体器件的半导体系统,更具体地,涉及执行模式寄存器设置操作的半导体器件以及包括该半导体器件的半导体系统。

背景技术

在半导体系统中,存储器控制器可以在控制半导体器件的操作之前设置操作半导体器件所需的信息(例如,列地址选通(CAS)延时、突发长度等)。操作半导体器件所需的信息可以被储存在模式寄存器中,并且设置操作半导体器件所需的信息的操作可以被称为模式寄存器设置操作。

发明内容

根据一个实施例,半导体器件包括操作控制电路和模式寄存器激活信号发生电路。操作控制电路响应于外部设置信号和命令而产生芯片识别储存控制信号、选择识别储存控制信号和模式寄存器设置信号。模式寄存器激活信号发生电路响应于芯片识别储存控制信号和选择识别储存控制信号而产生芯片识别和选择识别。当芯片识别与选择识别相同时,模式寄存器激活信号发生电路还响应于模式寄存器设置信号而产生用于控制模式寄存器设置操作的模式寄存器激活信号。

根据另一个实施例,半导体器件包括第一储存电路、第二储存电路和模式寄存器激活控制电路。第一储存电路响应于芯片识别储存控制信号而储存已锁存的地址,并且将储存在其中的已锁存的地址输出为芯片识别。第二储存电路响应于选择识别储存控制信号而储存已锁存的地址,并且将储存在其中的已锁存的地址输出为选择识别。模式寄存器激活控制电路响应于在芯片识别与选择识别相同时被使能的比较信号而从模式寄存器设置信号产生模式寄存器激活信号。

根据又一实施例,半导体系统包括控制器和半导体模块。控制器输出第一外部设置信号、第二外部设置信号、命令和地址。半导体模块包括第一电子芯片和第二电子芯片,该第一电子芯片和第二电子芯片响应于来自于控制器的第一外部设置信号、第二外部设置信号、命令和地址而执行模式寄存器设置操作。第一电子芯片包括第一模式寄存器激活信号发生电路。第一模式寄存器激活信号发生电路响应于从第一外部设置信号产生的第一芯片识别储存控制信号和从命令产生的第一选择识别储存控制信号而产生第一芯片识别和第一选择识别。当第一芯片识别与第一选择识别相同时,第一模式寄存器激活信号发生电路还响应于第一模式寄存器设置信号而产生用于控制第一电子芯片的模式寄存器设置操作的第一模式寄存器激活信号。

附图说明

图1所示为示出根据本公开的实施例的半导体器件的配置的框图。

图2所示为示出包括在图1的半导体器件中的延迟电路的示例的电路图。

图3所示为示出包括在图1的半导体器件中的设置缓冲器的示例的电路图。

图4所示为示出包括在图1的半导体器件中的储存控制电路的示例的电路图。

图5所示为示出包括在图1的半导体器件中的地址锁存电路的示例的电路图。

图6所示为示出包括在图1的半导体器件中的第一储存电路的示例的电路图。

图7所示为示出包括在图1的半导体器件中的第二储存电路的示例的电路图。

图8所示为示出包括在图1的半导体器件中的模式寄存器激活控制电路的示例的电路图。

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