[发明专利]一种钼基片真空镀钌的方法

说明书

本发明属于半导体材料的电镀技术领域，具体涉及一种钼基片真空镀钌的方法，包括如下步骤：步骤1，将钼片放入清洗釜中进行表面化学预处理，吹干后得到干净的钼片；步骤2，将干净钼片放入真空镀膜设备内进行抽高真空，形成真空体系；步骤3，真空镀膜设备加热升温形成高温体系，然后进行物理气相沉积法镀钌，降温得到单面镀钌钼片；步骤4，取出钼片翻转后重新放入真空镀膜设备内，抽高真空形成真空体系；步骤5，将真空镀钌设备加热形成高温体系，然后进行物理气相沉积法二次镀钌，降温后取出得到双面镀钌钼片。本发明解决了现有技术中化学镀污染严重，且稳定性差的问题，通过真空镀膜法形成良好的绿色镀膜法，且不产生任何有害物质。

技术领域

本发明属于半导体材料的电镀技术领域，具体涉及一种钼基片真空镀钌的方法。

背景技术

钼是一种耐高温材料，但钼材表面易生成的氧化膜，该氧化膜对钼不能起到任何保护作用，因此在高温环境下钼材极易产生强烈的氧化。为了改善钼片表面的耐热性和导电性等性能，需在钼片上镀覆镀层。用于电子材料领域的钼片，通常在其表面上镀钌以改善钼片材料的导电性能、耐热性能、钎焊性能，并减少或防止材料的氧化。现有的钼片镀钌工艺通常需要采用多层化学镀钌或电镀后进行扩散渗钌，这种钼片直接镀钌的方法往往粘附不牢固定，长期使用易起皮脱落，使用寿命较短；并且工艺较为繁琐，成本高，扩散渗钌耗时长，生产周期长，效率低；另外，现有的镀钌工艺由于温度过高，由于内应力释放，造成钼片变形较大，从而增加废品率。

公开号为CN101845629A的中国发明专利公开了一种钼片复合镀钌工艺，包括以下步骤：步骤1、对钼片进行前处理；步骤2、用化学镀钌法在钼片表面镀上第一层钌膜镀层；步骤3、将钼片进行超声清洗；步骤4、将钼片放入真空溅射装置中，对钼片表面进行钌物理气相沉积，在钼片表面镀上第二层钌膜镀层；步骤5、将钼片进行超声清洗；步骤6、电镀前的预处理；步骤7、用电镀法对钼片电镀第三层钌膜镀层。该金属方案中钌膜层由化学镀、溅射及电镀相结合完成，钌膜镀层内部晶粒致密，分布均匀，与钼片具有较高的结合力，不易起皮脱落，钌膜表面质量好，综合性能稳定，使用寿命长；镀钌过程中温度较低，钼片变形小，提高钼片镀钌的合格率，降低生产成本。

然而，化学镀采用水合肼作为还原剂，虽然能够起到良好的还原镀膜效果，但是水合肼本身是碱性腐蚀品，具有高毒性，同时化学镀会带来较大的环境压力。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明提供一种钼基片真空镀钌的方法，解决了现有技术中化学镀污染严重，且稳定性差的问题，通过真空镀膜法形成良好的绿色镀膜法，且不产生任何有害物质。

为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：

一种钼基片真空镀钌的方法，包括如下步骤：

步骤1，将钼片放入清洗釜中进行表面化学预处理，吹干后得到干净的钼片；

步骤2，将干净钼片放入真空镀膜设备内进行抽高真空，形成真空体系；

步骤3，真空镀膜设备加热升温形成高温体系，然后进行物理气相沉积法镀钌，降温得到单面镀钌钼片；

步骤4，取出钼片翻转后重新放入真空镀膜设备内，抽高真空形成真空体系；

步骤5，将真空镀钌设备加热形成高温体系，然后进行物理气相沉积法二次镀钌，降温后取出得到双面镀钌钼片。

所述步骤1中的表面化学预处理的步骤如下：

步骤a，将氢氧化钠加入至碳酸钠溶液中搅拌均匀，得到混合溶液；

步骤b，将钼片放入混合溶液中进行电解脱脂反应3min，反应结束后取出，用纯水冲洗干净；

步骤c，将盐酸、硫酸加入水中搅拌均匀形成混合酸液；然后将钼片放入混合酸液中浸泡处理；