[发明专利]一种钼基片真空镀钌的方法在审
| 申请号： | 201810645135.1 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108796445A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 郭顺华;陈敏 | 申请（专利权）人： | 江苏时代华宜电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/02 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钼片 真空镀膜设备 真空镀 放入 物理气相沉积法 抽高真空 高温体系 真空体系 钌钼 取出 半导体材料 表面化学预处理 电镀技术领域 真空镀膜法 加热升温 单面镀 镀膜法 化学镀 双面镀 翻转 吹干 加热 清洗 污染 | ||
1.一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1，将钼片放入清洗釜中进行表面化学预处理，吹干后得到干净的钼片；
步骤2，将干净钼片放入真空镀膜设备内进行抽高真空，形成真空体系；
步骤3，真空镀膜设备加热升温形成高温体系，然后进行物理气相沉积法镀钌，降温得到单面镀钌钼片；
步骤4，取出钼片翻转后重新放入真空镀膜设备内，抽高真空形成真空体系；
步骤5，将真空镀钌设备加热形成高温体系，然后进行物理气相沉积法二次镀钌，降温后取出得到双面镀钌钼片。
2.根据权利要求1所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤1中的表面化学预处理的步骤如下：
步骤a，将氢氧化钠加入至碳酸钠溶液中搅拌均匀，得到混合溶液；
步骤b，将钼片放入混合溶液中进行电解脱脂反应3min，反应结束后取出，用纯水冲洗干净；
步骤c，将盐酸、硫酸加入水中搅拌均匀形成混合酸液；然后将钼片放入混合酸液中浸泡处理；
步骤d，取出钼片，采用纯水冲洗干净后烘干，得到预处理后的钼片。
3.根据权利要求2所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤a中的氢氧化钠在混合溶液中的浓度为10-20g/L，碳酸钠在混合溶液中的浓度为20-30g/L。
4.根据权利要求2所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤b中的电解脱脂的温度为70℃，电流密度为50mA/cm2。
5.根据权利要求2所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤c中的混合酸液中盐酸、硫酸和水的质量比为3:3:14。
6.根据权利要求1所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤2中的抽高真空的真空度为5.0E-4。
7.根据权利要求1所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤3中的高温体系的温度为200℃，所述物理气相沉积法采用真空镀膜法，所述功率2000W，气压为0.7Pa，时间为6min。
8.根据权利要求1所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤4中的真空体系的真空度为5.0E-4。
9.根据权利要求1所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤5中的高温体系的温度为200℃，所述物理气相沉积法采用真空镀膜法，所述功率2000W，气压为0.7Pa，时间为6min。
10.根据权利要求1所述的一种钼基片真空镀钌的方法，其特征在于：所述步骤5中的镀钌钼片表面采用物理气相沉积法进行镀银，所述物理气相沉积法采用真空镀膜法，且功率2000W，气压为0.6Pa，时间30min。
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