[发明专利]一种半导体储存器结构及其位线接触部的制作方法

权利要求书

1.一种位线接触部的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底上形成有一刻蚀终止层；

形成多个分立设置的接触通孔在所述刻蚀终止层中，以形成位于在字线之间所述衬底上的多个位线接触隔离部，以间隔所述接触通孔；

形成接触材料在所述接触通孔中，所述接触材料填满所述接触通孔并覆盖所述位线接触隔离部；

去除所述位线接触隔离部上方多余的所述接触材料，以形成在所述接触通孔中且藉由所述位线接触隔离部底部间隔的多个初始接触部；及

形成多条位线，每条所述位线的底面分别与多个所述初始接触部的顶面连接，且所述初始接触部的顶面未被所述位线完全覆盖，进一步去除所述初始接触部未被所述位线覆盖的部分，保留所述初始接触部位于所述位线下方的部分作为位线接触部。

2.根据权利要求1所述的位线接触部的制作方法，其特征在于，形成所述接触通孔包括以下步骤：

形成一硬掩膜层在所述刻蚀终止层上；

形成一光刻胶层在所述硬掩膜层上，并将所述光刻胶层图形化；

以图形化的所述光刻胶层为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，以将所述光刻胶层的图形转移至所述硬掩膜层，使所述硬掩膜层图形化；

以图形化的所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述刻蚀终止层，以得到所述接触通孔。

3.根据权利要求1所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：在形成所述位线时，同时形成位于所述位线之上的位线保护层，以在去除所述初始接触部未被所述位线覆盖的部分的过程中保护所述位线。

4.根据权利要求1所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：在提供所述衬底的步骤中，所述衬底中更形成有隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区；在形成所述接触通孔的步骤中，所述接触通孔位于所述有源区之上，所述接触通孔的底部暴露出所述有源区，且所述位线接触隔离部位于所述隔离结构之上。

5.根据权利要求4所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：所述接触通孔往下延伸至所述有源区中，以使所述接触通孔底部低于所述刻蚀终止层下表面。

6.根据权利要求5所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：所述接触通孔由所述衬底上表面具有更凹陷深度。

7.根据权利要求1所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：所述衬底包含多个平行排列的字线组，所述字线组包含两条平行排列的两条字线，对应于多个同向排列的有源区，所述接触通孔及所述位线接触隔离部皆分布于所述字线组的两条所述字线之间。

8.根据权利要求7所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：所述字线呈直线型，所述位线呈波浪线型，所述位线的延伸方向与所述字线的延伸方向垂直。

9.根据权利要求7所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：所述接触通孔在所述字线的延伸方向上的长度介于10nm～70nm之间。

10.根据权利要求1所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：形成所述接触材料之前，对所述衬底在所述接触通孔底部进行离子注入，以降低所述接触通孔底部材料的接触电阻。

11.根据权利要求1所述的位线接触部的制作方法，其特征在于：所述位线接触隔离部的材料选自氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅以及氮化硼所构成群组的其中一种。