[发明专利]一种加热方法和装置在审
申请号: | 201810623136.6 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108878318A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 石保强 | 申请(专利权)人: | 北京汉能光伏投资有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陈超 |
地址: | 101400 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运动机构 加热 旋转机构 加热件 被加热件 加热装置 基材 方法和装置 并排设置 加压加热 旋转支撑 非接触 接触式 预固定 粘结件 背板 压痕 移动 | ||
1.一种加热装置,其特征在于,包括:
基座(1);
旋转机构(2),设置在所述基座(1)上,所述旋转机构(2)被构造为通过旋转支撑被加热件(4);
其特征在于,还包括加热件(8)和运动机构(6),所述加热件(8)设置于所述运动机构(6)上,所述运动机构(6)与所述旋转机构(2)并排设置在所述基座(1)上,所述运动机构(6)被构造为通过X-Y-Z轴方向运动带动所述加热件(8)沿X-Y-Z轴方向围绕所述被加热件(4)移动并加热。
2.根据权利要求1所述的加热装置,其中,所述旋转机构(2)以指定角度连续旋转。
3.根据权利要求2所述的加热装置,其中,所述指定角度为90℃。
4.根据权利要求1所述的加热装置,其中,所述旋转机构(2)包括定位工装(3),所述定位工装设置于所述旋转机构(2)的上部,用于放置和定位所述被加热件(4)。
5.根据权利要求4所述的加热装置,其中,所述定位工装(3)的定位部分具有与所述被加热件(4)相匹配的表面。
6.根据权利要求5所述的加热装置,其中,所述定位工装(3)的定位部分设置有吸附件(5),用于吸附所述被加热件(4)。
7.根据权利要求1所述的加热装置,其中,运动机构(6)包括驱动件(7)、第一向导杆(61)、第二向导杆(62)和第三向导杆(63)。
8.根据权利要求7所述的加热装置,其中,所述驱动件(7)与所述第二向导杆(62)连接,所述驱动件(7)与所述加热件(8)连接,所述驱动件(7)带动所述加热件(8)沿所述第二向导杆(62)做Y轴向移动。
9.根据权利要求7所述的加热装置,其中,所述第二向导杆(62)连接在所述第三向导杆(63)上,沿所述第三向导杆(63)做Z轴向运动。
10.根据权利要求1所述的加热装置,其中所述运动机构(6)还包括有导轨(66)和运动底座(65),其中所述运动底座(65)设置在所述基座(1)上,所述导轨(66)设置在所述运动底座(65)上,所述导轨(66)平行设置在所述第一向导杆(61)的下方。
11.根据权利要求1所述的加热装置,其中,所述运动机构(6)还设置有运动机架(64),所述运动机架(64)连接所述第一向导杆(61),沿所述导轨(66)和所述第一向导杆(61)做X轴向移动。
12.根据权利要求1所述的加热装置,还包括加热发生器模块(9),所述加热发生器模块(9)设置在所述基座(1)上,所述加热发生器模块(9)与所述加热件(8)连接,用于对被加热件(4)进行加热。
13.根据权利要求12所述的加热装置,其中,所述加热发生器模块(9)为激光发生器模块。
14.一种加热方法,包括:
形成一叠层结构并预压,所述叠层结构包括有基材(41)、粘接件(42)和第一层结构(43);
沿预设轨迹对所述叠层结构完成加热。
15.根据权利要求14所述的加热方法,其中,形成一叠层结构并预压,所述叠层结构包括有基材(41)、粘接件(42)和第一层结构(43),具体包括:
提供所述基材(41),所述基材为一透明板状物;
将所述基材(41)定位;
沿指定轨迹将所述粘结件(42)设置于所述基材(41)上,以使所述粘结件(42)围成一指定区域;
在所述粘结件(42)围成的指定区域内,依次设置一层或多层层状物在所述基材(41)上;
将所述第一层结构(43)设置在所述粘结件(42)上并完成预压。
16.根据权利要求14所述的加热方法,其中沿预设轨迹对所述叠层结构完成加热,具体包括:
所述多个加热位置分布在所述基材(41)周边;
沿所述预设轨迹对所述基材(41)依次完成加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造