[发明专利]一种碳化硅结势垒肖特基二极管在审
| 申请号： | 201810622789.2 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108538925A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张振中;林盛杰;和巍巍;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 徐罗艳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂区 正八边形 碳化硅结势垒肖特基二极管 等间距交替排列 等间距排列 面积利用率 面积因子 器件芯片 正向 | ||
1.一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：具有正八边形和正方形的P型离子注入掺杂区(2)，并且，正八边形P型离子注入掺杂区(21)和正方形P型离子注入掺杂区(22)等间距交替排列。
2.如权利要求1所述的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：各所述P型离子注入掺杂区(2)的纵向厚度(h)相同。
3.如权利要求1所述的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述正八边形P型离子注入掺杂区(21)和所述正方形P型离子注入掺杂区(22)等间距交替排列形成对称图案，所述对称图案同时满足中心对称和轴对称。
4.如权利要求3所述的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：每一对相邻的正方形P型离子注入掺杂区(22)和正八边形P型离子注入掺杂区(21)，正方形的其中两条平行边与正八边形的其中两条平行边相互平行。
5.如权利要求4所述的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：正八边形P型离子注入掺杂区(21)和正方形P型离子注入掺杂区(22)之间的所述间距(S)是相邻的正方形和正八边形之间距离最近的两条平行边之间的距离。
6.如权利要求4所述的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：正方形P型离子注入掺杂区(22)和正八边形P型离子注入掺杂区(21)的边长相同。
7.如权利要求4所述的碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述间距(S)根据正向导通电流和反向击穿电压来设置。
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