[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置在审
申请号: | 201810616397.5 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108831900A | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 吕相南;黄増智;罗加聘 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光单元 衬底 像素 图像传感器 材料层 成像装置 垂直的 光学性质 滤色器层 不重叠 入射 制造 行进 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
像素衬底,包括感光单元结构;
在所述像素衬底之上的材料层,所述材料层包括与感光单元结构对应地设置的第一部分以及与第一部分相邻的第二部分,所述第一部分和第二部分的光学性质不同;以及
在所述材料层之上的滤色器层,
其中在与所述像素衬底垂直的方向看时,所述第一部分与对应的感光单元结构至少部分重叠地设置,以允许光通过所述第一部分进入对应的感光单元结构,并且
其中在与所述像素衬底垂直的方向看时,所述第二部分的至少一部分与和其相邻的第一部分对应的感光单元结构不重叠,所述第二部分改变入射到其的光的行进方向。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中所述第二部分具有下列中的一个:
所述第二部分具有反射性,以反射入射到其的光;或者
所述第二部分具有比与其相邻的所述第一部分的折射率高的折射率,以折射入射进入其的光。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中所述滤色器层包括在所述材料层之上的栅格结构以及被所述栅格结构分隔开的滤色器;
所述滤色器与所述感光单元结构对应地设置;
所述栅格结构与所述第二部分对应地设置。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,其中:
所述像素衬底包括多个感光单元结构;
所述滤色器层包括多个滤色器;
所述材料层包括多个所述第一部分;
每一个所述滤色器与一个所述感光单元结构对应地设置;并且
每一个所述第一部分与一个所述感光单元结构对应地设置。
5.如权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,其中所述栅格结构包括:
在所述材料层之上的金属栅格;以及
覆盖所述金属栅格的顶面和侧面的介质层。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
在滤色器层之上的微透镜的阵列,所述微透镜与所述感光单元结构对应地设置。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中:
所述材料层为叠层结构,所述叠层结构包括高k电介质的层以及硅的氮化物或硅的氧化物的层。
8.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,其中所述第一部分和第二部分具有相同的主体材料,所述第二部分还具有另外的离子。
9.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
附接到像素衬底的与所述材料层相反的一侧的附加衬底。
10.一种成像装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的