[发明专利]一种基于二次塑封的SiP模组的制造方法及SiP模组

权利要求书

1.一种基于二次塑封的SiP模组的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1：在印制电路板的上表面焊接SiP模组所需的电子元器件，所述印制电路板的下表面具有预留的焊点，制成印制电路板组件；

步骤S2：对所述印制电路板组件的上表面第一次填充塑封料，使塑封料包覆所述印制电路板组件上表面的电子元器件，待所述塑封料固化后，得到一次塑封的印制电路板组件；

步骤S3：将功能性膜紧固粘贴在所述一次塑封的印制电路板组件的上表面，得到贴膜后的印制电路板组件；

步骤S4：对所述贴膜后的印制电路板组件第二次填充塑封料，使填充的塑封料覆盖所述贴膜后的印制电路板组件的上表面和四周，待第二次填充的塑封料固化后制成SiP模组；

步骤S5：对所述SiP模组的四周及上表面设置电磁屏蔽层；

所述功能性膜包括：

胶层和功能膜层，功能膜层位于胶层的上表面，功能性膜通过胶层粘贴于塑封料的上表面，所述功能性膜具有若干个用切割道分隔开的膜单元，所述切割道部分镂空、部分与所述膜单元连接，且所述膜单元与所述SiP模组一一对应；

所述切割道部分镂空、部分与所述膜单元连接具体为：

所述切割道包括：纵向切割道和横向切割道；

所述纵向切割道和所述横向切割道的不相交区域镂空，所述纵向切割道和所述横向切割道的相交区域与所述膜单元连接。

2.如权利要求1所述的基于二次塑封的SiP模组的制造方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：

步骤S31：将所述功能性膜粘贴在所述一次塑封的印制电路板组件的上表面；

步骤S32：从上方对所述功能性膜向下施加压力，使所述功能性膜紧固粘贴在所述一次塑封的印制电路板组件的上表面，得到贴膜后的印制电路板组件。

3.如权利要求2所述的基于二次塑封的SiP模组的制造方法，其特征在于，所述步骤S32具体为：

步骤S321：从上方对所述功能性膜向下施加压力；

步骤S322：对所述一次塑封的印制电路板组件进行加热固化，使所述功能性膜紧固粘贴在所述一次塑封的印制电路板组件的上表面，得到贴膜后的印制电路板组件。

4.如权利要求1所述的基于二次塑封的SiP模组的制造方法，其特征在于，所述步骤S4具体为：

步骤S41：对所述贴膜后的印制电路板组件第二次填充塑封料，使填充的塑封料覆盖所述贴膜后的印制电路板组件的上表面和四周，待第二次填充的塑封料固化后，得到二次塑封的印制电路板组件；

步骤S42：切割所述二次塑封的印制电路板组件，得到若干个所述SiP模组。

5.一种SiP模组，其特征在于，包括：

印制电路板，所述印制电路板的上表面焊接有SiP模组所需的电子元器件，所述印制电路板的下表面具有预留的焊点；

第一塑封层，所述电子元器件包覆在所述第一塑封层中，

功能性膜，紧固粘贴于所述第一塑封层的上表面；

第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述功能性膜和所述第一塑封层；

电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包覆所述SiP模组的上表面和四周；

所述功能性膜包括：

胶层和功能膜层，功能膜层位于胶层的上表面，功能性膜通过胶层粘贴于塑封料的上表面，所述功能性膜具有若干个用切割道分隔开的膜单元，所述切割道部分镂空、部分与所述膜单元连接，且所述膜单元与所述SiP模组一一对应；

所述切割道部分镂空、部分与所述膜单元连接具体为：

所述切割道包括：纵向切割道和横向切割道；

所述纵向切割道和所述横向切割道的不相交区域镂空，所述纵向切割道和所述横向切割道的相交区域与所述膜单元连接。

6.如权利要求5所述的SiP模组，其特征在于，所述功能性膜具有电磁屏蔽功能。