[发明专利]PM-OLED显示基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810615190.6 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN108962943B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 李源 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;廖苑滨
地址: 516600 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: pm oled 显示 及其 制作方法
【说明书】:

发明提供了PM‑OLED显示基板及其制作方法,该PM‑OLED显示基板包括SEG走线、COM走线、像素绝缘网格、隔离柱和成阵列布置的像素单元,所述像素绝缘网格包括与所述SEG走线同向的SEG向绝缘条和与所述COM走线同向的COM向绝缘条,还包括与所述像素绝缘网格对应设置且与所述SEG走线电性连接的辅助电极线,所述辅助电极线容纳于所述像素绝缘网格中或覆盖于所述像素绝缘网格下。本发明提供的PM‑OLED显示基板能够有效降低SEG走线的起始段和结束端的电阻差异,改善单双效应问题,能够有效保证显示效果,提高产品质量。本发明提供的PM‑OLED显示基板的制作方法能够有效实现PM‑OLED显示基板的制作,且能有效提高生产效率。

技术领域

本发明涉及了显示技术领域,特别是涉及了PM-OLED显示基板及其制作方法。

背景技术

PM-OLED显示技术因具备全固态主动发光、温度特性好、功耗较小、响应快、可弯曲折叠、超轻薄等优点,而被称之为第三代梦幻显示技术。现有的PM-OLED显示基板由于SEG走线的电阻逐渐加大,在全面点亮的情况下,在发光区内SEG走线的起始位置与结束位置之间,由于电阻逐渐增大,SEG走线的起始端与结束端之间必然会存在一定的电压压降,在全面点亮的情况下,就可以在靠近可视区边缘的位置看到相邻的奇数行(或列)与偶数行(或列)SEG走线上的亮度存在着明显的差异,这种显示现象称为单双效应。如图1所示,SEG走线横向排布,位于奇数行的SEG走线11’从左侧与引线连接,位于偶数行的SEG走线12’从右侧与引线连接,在全面点亮的情况下,位于奇数行的SEG走线11’左端能正常显示,而右端亮度渐低,位于偶数行的SEG走线12’右端能正常显示,而左端亮度渐低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是能够有效解决PM-OLED显示面板在全面点亮的情况下存在的单双效应问题。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种PM-OLED显示基板,包括SEG走线、COM走线、像素绝缘网格、隔离柱和成阵列布置的像素单元,还包括与所述像素绝缘网格对应设置且与所述SEG走线电性连接的辅助电极线,所述像素绝缘网格包括与所述SEG走线同向的SEG向绝缘条和与所述COM走线同向的COM向绝缘条,所述辅助电极线容纳于所述像素绝缘网格中或覆盖于所述像素绝缘网格下。

作为本发明的一种优选方案,所述像素绝缘网格上开设有用于容纳所述辅助电极线的走线槽;所述走线槽包括位于COM向绝缘条上的COM向走线槽和/或,位于所述SEG向绝缘条上的SEG向走线槽。

作为本发明的一种优选方案,所述COM向走线槽的宽度W1≤W-4um,其中,W为COM向绝缘条的宽度;所述COM向走线槽的长度L1≤W’+W2-6um,其中,所述W’为SEG走线的宽度,W2为相邻两条SEG走线的间距;所述SEG向走线槽的宽度W11<(W4-W2)/2+W2um,其中,W4为相邻像素在COM方向上的间距,W2为相邻两条SEG走线之间的间距;所述SEG向走线槽的长度L2≤L’,其中,L’为单个像素单元在SEG方向上的分布步距。

作为本发明的一种优选方案,所述隔离柱上开设有用于容纳所述辅助电极线的隔离柱槽。

作为本发明的一种优选方案,所述隔离柱槽的宽度W12≥3um,且W12≤WRIB-6um,其中,WRIB为隔离柱的设计宽度,WRIB≤W-4um,W为COM向绝缘条的宽度;所述隔离柱槽的长度L12≥L1/3,且L12≤L1,其中,L1为COM向走线槽的长度。

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