[发明专利]PM-OLED显示基板及其制作方法有效
| 申请号: | 201810615190.6 | 申请日: | 2018-06-14 | 
| 公开(公告)号: | CN108962943B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 | 
| 发明(设计)人: | 李源 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 | 
| 代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;廖苑滨 | 
| 地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | pm oled 显示 及其 制作方法 | ||
1.一种PM-OLED显示基板,包括SEG走线、COM走线、像素绝缘网格、隔离柱和成阵列布置的像素单元,其特征在于,还包括与所述SEG走线电性连接的辅助电极线,所述像素绝缘网格包括与所述SEG走线同向的SEG向绝缘条和与所述COM走线同向的COM向绝缘条,所述辅助电极线容纳于所述像素绝缘网格中或覆盖于所述像素绝缘网格下;所述辅助电极线层叠于所述SEG走线上。
2.根据权利要求1所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述像素绝缘网格上开设有用于容纳所述辅助电极线的走线槽;所述走线槽包括位于COM向绝缘条上的COM向走线槽和/或,位于所述SEG向绝缘条上的SEG向走线槽。
3.根据权利要求2所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述COM向走线槽的宽度W1≤W-4um,其中,W为COM向绝缘条的宽度;所述COM向走线槽的长度L1≤W’+W2-6um,其中,所述W’为SEG走线的宽度,W2为相邻两条SEG走线的间距;所述SEG向走线槽的宽度W11<(W4-W2)/2+W2um,其中,W4为相邻像素在COM方向上的间距,W2为相邻两条SEG走线之间的间距;所述SEG向走线槽的长度L2≤L’,其中,L’为单个像素单元在SEG方向上的分布步距。
4.根据权利要求2所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述隔离柱上开设有用于容纳所述辅助电极线的隔离柱槽。
5.根据权利要求4所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述隔离柱槽的宽度W12≥3um,且W12≤WRIB-6um,其中,WRIB为隔离柱的设计宽度,WRIB≤W-4um,W为COM向绝缘条的宽度;所述隔离柱槽的长度L12≥L1/3,且L12≤L1,其中,L1为COM向走线槽的长度。
6.根据权利要求1所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,还包括引线和设置于所述引线上的辅助引线;所述辅助电极线与所述辅助引线于同一制程中形成,且覆盖于所述像素绝缘网格下。
7.根据权利要求6所述的PM-OLED显示基板,其特征在于,所述辅助电极线的宽度W引≤W5-4um,其中,W5为像素单元与相邻SEG走线之间的距离;所述辅助电极线的长度L引与SEG走线相同。
8.一种PM-OLED显示基板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求2所述的PM-OLED显示基板,包括以下步骤:
步骤1、在基板上形成阳极走线;
步骤2、制作像素隔离网格并形成走线槽;
步骤3、制作容纳于所述走线槽中的辅助电极线;
步骤4、依次制作隔离柱、有机层和阴极走线。
9.一种PM-OLED显示基板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求4所述的PM-OLED显示基板,包括以下步骤:
步骤1、在基板上形成阳极走线;
步骤2、制作像素隔离网格并形成走线槽;
步骤3、在所述像素隔离网格上制作隔离柱并形成隔离柱槽;
步骤4、制作容纳于所述走线槽和隔离柱槽中的辅助电极线、有机层和阴极走线;其中,所述辅助电极层先于所述有机层和阴极走线制作,或者,所述辅助电极层与所述阴极走线在同一制程中同时蒸镀形成。
10.一种PM-OLED显示基板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求7所述的PM-OLED显示基板,包括以下步骤:
步骤1、在基板上形成阳极走线;其中,位于显示区内的阳极走线形成SEG走线,位于非显示区的阳极走线形成引线;
步骤2、在所述引线上制作辅助引线并在同一制程中形成与所述SEG走线电性连接的辅助电极线;
步骤3、依次制作像素隔离网格、隔离柱、有机层和阴极走线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利半导体有限公司,未经信利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810615190.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
 
- 专利分类
 
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





