[发明专利]倒装方法

说明书

一种倒装方法，包括：提供半导体芯片和导电连接柱，所述导电连接柱具有相对的第一面和第二面；将所述导电连接柱固定在所述半导体芯片表面，第一面朝向所述半导体芯片；在所述导电连接柱的侧壁形成第一阻挡层，且所述第一阻挡层暴露出导电连接柱的第二面；提供载板；在所述载板的表面形成焊料柱；形成第二阻挡层，所述第二阻挡层位于焊料柱周围的载板表面；形成第一阻挡层和第二阻挡层后，将所述焊料柱与所述第二面接触，所述导电连接柱位于所述焊料柱上；将所述焊料柱与所述第二面接触后，进行回流焊，且使焊料柱形成焊料层。所述方法提高焊料层的质量，且避免相邻的焊料层连接在一起。

技术领域

本发明涉及封装领域，尤其涉及一种倒装方法。

背景技术

倒装芯片工艺既是一种芯片互联技术，又是一种理想的芯片粘结技术。早在50余年前IBM(国际商业机器公司)已研发使用了这项技术。但是直到近几年来，倒装芯片已成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形成。目前，倒装芯片封装技术的应用范围日益广泛，封装形式更趋于多样化，对倒装芯片的要求也随之提高。

然而，现有的倒装方法中，焊料层的质量较差，且相邻的焊料层容易连接在一起。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种倒装方法，所述方法提高焊料层的质量，且避免相邻的焊料层连接在一起。

为解决上述问题，本发明提供一种倒装方法，包括：提供半导体芯片和导电连接柱，所述导电连接柱具有相对的第一面和第二面；将所述导电连接柱固定在所述半导体芯片表面，第一面朝向所述半导体芯片；在所述导电连接柱的侧壁形成第一阻挡层，且所述第一阻挡层暴露出导电连接柱的第二面；提供载板；在所述载板的表面形成焊料柱；形成第二阻挡层，所述第二阻挡层位于焊料柱周围的载板表面；形成第一阻挡层和第二阻挡层后，将所述焊料柱与所述第二面接触，所述导电连接柱位于所述焊料柱上；将所述焊料柱与所述第二面接触后，进行回流焊，且使焊料柱形成焊料层。

可选的，形成所述第一阻挡层的方法包括：在所述导电连接柱的第二面和侧壁形成阻挡材料层；去除第二面的阻挡材料层，形成所述第一阻挡层。

可选的，所述第一阻挡层的材料为绝缘胶；形成所述阻挡材料层的方法为刷胶工艺。

可选的，形成所述阻挡材料层的工艺为氧化工艺。

可选的，所述第一阻挡层的厚度为10微米～30微米。

可选的，所述第二阻挡层的材料为绝缘胶；形成所述第二阻挡层的方法为刷胶工艺；在形成所述焊料柱后，形成所述第二阻挡层。

可选的，所述第二阻挡层的材料为塑封材料；形成所述第二阻挡层的工艺为塑封工艺；在形成所述焊料柱之前，形成所述第二阻挡层。

可选的，所述第二阻挡层的厚度小于所述焊料柱的高度。

可选的，所述第二阻挡层的厚度为10微米～30微米。

可选的，所述导电连接柱的数量为若干个，所述焊料柱的数量为若干个，将所述焊料柱与所述第二面接触后，一个焊料柱仅和一个导电连接柱连接；形成所述焊料柱的方法包括：在所述载板的表面形成网板，所述网板中具有若干通孔，相邻的通孔的中心之间的距离等于相邻的导电连接柱的中心之间的距离；采用印刷工艺在所述通孔中分别形成焊料柱；进行所述印刷工艺后，去除所述网板。

可选的，所述焊料柱的径向尺寸小于所述导电连接柱的径向尺寸。

可选的，还包括：进行所述回流焊后，去除所述第一阻挡层和第二阻挡层；去除所述第一阻挡层和第二阻挡层后，在所述载板、半导体芯片、导电连接柱和焊料层上形成塑封层；或者，进行所述回流焊后，在所述载板、半导体芯片、导电连接柱和焊料层上形成塑封层，且所述塑封层覆盖所述第一阻挡层和第二阻挡层。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：