[发明专利]倒装方法有效

专利信息
申请号: 201810613775.4 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN108847396B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 石磊 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 薛异荣;吴敏
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 倒装 方法
【权利要求书】:

1.一种倒装方法,其特征在于,包括:

提供半导体芯片和导电连接柱,所述导电连接柱具有相对的第一面和第二面;

将所述导电连接柱固定在所述半导体芯片表面,第一面朝向所述半导体芯片;

在所述导电连接柱的侧壁形成第一阻挡层,且所述第一阻挡层暴露出导电连接柱的第二面;

提供载板;

在所述载板的表面形成焊料柱,所述焊料柱的径向尺寸小于所述导电连接柱的径向尺寸,所述焊料柱的径向尺寸为所述导电连接柱的径向尺寸的2/5~3/5;

形成第二阻挡层,所述第二阻挡层位于焊料柱周围的载板表面,且所述第二阻挡层与所述焊料柱接触,所述第二阻挡层的厚度小于所述焊料柱的高度;

形成第一阻挡层和第二阻挡层后,将所述焊料柱与所述第二面接触,所述导电连接柱位于所述焊料柱上;

将所述焊料柱与所述第二面接触后,进行回流焊,且使焊料柱形成焊料层,沿载板表面法线方向且自导电连接柱至载板的方向,所述焊料层的宽度逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的倒装方法,其特征在于,形成所述第一阻挡层的方法包括:在所述导电连接柱的第二面和侧壁形成阻挡材料层;去除第二面的阻挡材料层,形成所述第一阻挡层。

3.根据权利要求2所述的倒装方法,其特征在于,所述第一阻挡层的材料为绝缘胶;形成所述阻挡材料层的方法为刷胶工艺。

4.根据权利要求2所述的倒装方法,其特征在于,形成所述阻挡材料层的工艺为氧化工艺。

5.根据权利要求1所述的倒装方法,其特征在于,所述第一阻挡层的厚度为10微米~30微米。

6.根据权利要求1所述的倒装方法,其特征在于,所述第二阻挡层的材料为绝缘胶;形成所述第二阻挡层的方法为刷胶工艺;在形成所述焊料柱后,形成所述第二阻挡层。

7.根据权利要求1所述的倒装方法,其特征在于,所述第二阻挡层的材料为塑封材料;形成所述第二阻挡层的工艺为塑封工艺;在形成所述焊料柱之前,形成所述第二阻挡层。

8.根据权利要求1所述的倒装方法,其特征在于,所述第二阻挡层的厚度为10微米~30微米。

9.根据权利要求1所述的倒装方法,其特征在于,所述导电连接柱的数量为若干个,所述焊料柱的数量为若干个,将所述焊料柱与所述第二面接触后,一个焊料柱仅和一个导电连接柱连接;形成所述焊料柱的方法包括:在所述载板的表面形成网板,所述网板中具有若干通孔,相邻的通孔的中心之间的距离等于相邻的导电连接柱的中心之间的距离;采用印刷工艺在所述通孔中分别形成焊料柱;进行所述印刷工艺后,去除所述网板。

10.根据权利要求1所述的倒装方法,其特征在于,还包括:进行所述回流焊后,去除所述第一阻挡层和第二阻挡层;去除所述第一阻挡层和第二阻挡层后,在所述载板、半导体芯片、导电连接柱和焊料层上形成塑封层;

或者,进行所述回流焊后,在所述载板、半导体芯片、导电连接柱和焊料层上形成塑封层,且所述塑封层覆盖所述第一阻挡层和第二阻挡层。

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