[发明专利]承载台和等离子体设备有效
| 申请号: | 201810613391.2 | 申请日: | 2018-06-14 |
| 公开(公告)号: | CN110610840B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
| 发明(设计)人: | 王文章;陈鹏;刘菲菲 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/20 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 承载 等离子体 设备 | ||
本发明提供一种承载台和等离子体设备。所述承载台包括承载台本体和沿厚度方向贯穿所述承载台本体的多个针孔,所述承载台还包括至少一个磁体,所述磁体嵌入在所述承载台本体中。有利于抑制针孔内等离子体的激发,提高工艺质量。
技术领域
本发明涉及等离子体设备技术领域,更具体地,涉及一种承载台和一种等离子体设备。
背景技术
在对半导体晶圆进行加工时,一般需要包括载品台或者静电卡盘的承载台去承载晶圆,在这些承载台上一般设置有3个针孔,在这三个针孔内设置有支撑针。这样当支撑针相对于承载台向上运动时,支撑针可以将晶圆顶起一定高度;当支撑针相对于承载台向下运动时,支撑针又可以将晶圆落在承载台上。
在对晶圆进行加工时,承载台附近一般会形成有很强的负偏压,在承载台下方的孔内的电场会对电场内的电子进行加速,电子能量足够高时会激发等离子体。这些等离子体中的带正电荷的粒子会轰击晶圆背面,造成工艺的不稳定,并影响产品的品质。
发明内容
本发明提供一种承载台和一种等离子体设备,以克服现有技术中存在的缺陷。
根据本发明的第一方面,提供一种承载台,所述承载台包括承载台本体和沿厚度方向贯穿所述承载台本体的多个针孔,所述承载台还包括至少一个磁体,所述磁体嵌入在所述承载台本体中。
可选地,所述承载台包括一个磁体,所述磁体的南极和北极的连线方向垂直于所述承载台本体的厚度方向。
可选地,所述磁体成对设置,每对磁体对应一个针孔,同一对磁体中的两个磁体之间彼此相对的磁极极性相反。
可选地,每对磁体的两个磁体之间彼此相对的磁极的连线经过对应的针孔。
可选地,成对设置的磁体均为柱状磁体。
可选地,同一对柱状磁体的轴向平行于对应的针孔的深度方向,同一对柱状磁体的两个磁体之间彼此相对的磁极的连线垂直于对应针孔的深度方向且该连线穿过对应针孔;或者
同一对柱状磁体的轴向垂直于对应的针孔的深度方向,同一对柱状磁体的两个磁体之间彼此相对的磁极的连线垂直于对应针孔的深度方向且该连线穿过对应针孔。
可选地,所述磁体包括磁性本体和用于包裹所述磁性本体的壳体,所述壳体的材料为导电材料。
可选地,所述壳体的厚度在0.8mm至1.2mm之间。
可选地,所述承载台本体包括基座部、承载部和压环部,所述承载部设置在所述基座部上方,所述压环部设置在所述承载部的边缘部的上方以将所述承载部与所述基座部固定连接;所述针孔贯穿所述基座部和所述承载部,所述磁体嵌入在所述基座部中。
根据本发明的第二方面,提供一种等离子体设备,所述等离子体设备包括工艺腔室、承载台、支撑针和馈入电极,所述承载台设置在所述工艺腔室中,所述馈入电极与所述承载台电连接,所述承载台为根据本发明第一方面所提供的承载台,所述支撑针能够在所述针孔内与所述承载台相对运动。
本发明的有益效果包括:
由于承载台内嵌入的磁体在针孔内所产生的磁场与针孔内的电场不会完全平行,也就是在针孔内加速运动的电子会受到垂直于其运动方向的磁场分量的洛仑兹力作用而做回旋运动,在一个周期的部分时间内,电场对电子做加速运动,在一个周期的另一部分时间内,电场对电子做减速运动。电子不会如现有技术中那样被电场持续加速,从而电子的能量的增长受到抑制,有利于减少等离子体激发的概率。从而可以保护晶圆不受到等离子体中的带电粒子轰击,提高工艺的一致性和稳定性。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
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