[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法

说明书

本公开涉及一种图像传感器，包括：半导体衬底，用于在其中形成光电二极管；反射部，位于所述半导体衬底之下并覆盖所述光电二极管的至少部分，所述反射部的上表面与所述半导体衬底的下表面直接接触；以及层间电介质层，位于所述反射部之下，所述层间电介质层的上表面与所述反射部的下表面直接接触，其中，形成所述反射部的材料的折射率介于形成所述半导体衬底的材料的折射率和形成所述层间电介质层的材料的折射率之间。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够提高图像传感器的性能。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种图像传感器及形成图像传感器的方法。

背景技术

在图像传感器中，需要光电二极管充分地吸收入射光。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新的图像传感器及形成图像传感器的方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括：半导体衬底，用于在其中形成光电二极管；反射部，位于所述半导体衬底之下并覆盖所述光电二极管的至少部分，所述反射部的上表面与所述半导体衬底的下表面直接接触；以及层间电介质层，位于所述反射部之下，所述层间电介质层的上表面与所述反射部的下表面直接接触，其中，形成所述反射部的材料的折射率介于形成所述半导体衬底的材料的折射率和形成所述层间电介质层的材料的折射率之间。

根据本公开的第二方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底用于在其中形成光电二极管；在所述半导体衬底之下并且在覆盖所述光电二极管的至少部分的区域形成反射部，所述反射部的上表面与所述半导体衬底的下表面直接接触；在所述反射部之下形成层间电介质层，所述层间电介质层的上表面与所述反射部的下表面直接接触，其中，形成所述反射部的材料的折射率介于形成所述半导体衬底的材料的折射率和形成所述层间电介质层的材料的折射率之间。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的结构的示意图。

图2是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器的结构的示意图。

图3是示意性地示出根据本公开的一些实施例的图像传感器中的反射部附近的光路的示意图。

图4A至4E是分别示意性地示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图5A至5E是分别示意性地示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。