[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法在审
| 申请号： | 201810610463.8 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108831899A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 黄增智;龙海凤;李天慧;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 反射部 衬底 层间电介质层 半导体 折射率 光电二极管 上表面 下表面 覆盖 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，用于在其中形成光电二极管；
反射部，位于所述半导体衬底之下并覆盖所述光电二极管的至少部分，所述反射部的上表面与所述半导体衬底的下表面直接接触；以及
层间电介质层，位于所述反射部之下，所述层间电介质层的上表面与所述反射部的下表面直接接触，
其中，形成所述反射部的材料的折射率介于形成所述半导体衬底的材料的折射率和形成所述层间电介质层的材料的折射率之间。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述反射部的光学厚度被配置为：使得所述光在所述反射部的上表面处被反射的第一反射光和所述光在所述反射部的下表面处被反射的第二反射光在所述反射部的上表面之上叠加之后的强度，大于所述第一反射光在所述反射部的上表面之上的强度，且大于所述第二反射光在所述反射部的上表面之上的强度。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，在所述反射部的上表面之上，所述第一反射光和所述第二反射光之间的相位差的绝对值小于预定相差。
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，在所述反射部的上表面之上，所述第一反射光和所述第二反射光之间的相位差为零。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述反射部为一层结构或多层结构。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述反射部的物理被配置为满足如下条件的各个物理厚度中的最小值：
使得所述光在所述反射部的上表面处被反射的第一反射光和所述光在所述反射部的下表面处被反射的第二反射光在所述反射部的上表面之上叠加之后的强度，大于所述第一反射光在所述反射部的上表面之上的强度，且大于所述第二反射光在所述反射部的上表面之上的强度。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述反射部的物理厚度的范围为
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述反射部包括位于第一像素单元并用于第一波长的光的第一反射部和位于第二像素单元并用于第二波长的光的第二反射部，所述第一波长小于所述第二波长，并且所述第一反射部的光学厚度小于所述第二反射部的光学厚度。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管的物理厚度被配置为：使得所述光被所述反射部反射回到所述光电二极管中之后能够被所述光电二极管完全吸收。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管用于可见光，所述光电二极管的物理厚度的范围为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
