[发明专利]一种电极及其制备方法和有机电致发光器件

说明书

本发明提供一种电极由依次层叠的一第一铟锌氧化物膜、一金属膜和一第二铟锌氧化物膜组成，其中，所述金属膜由Ag合金制成。所述第一铟锌氧化物膜的厚度为5nm～40nm；所述金属膜的厚度为80nm～160nm；所述第二铟锌氧化物膜的厚度为5nm～40nm。该电极可以应用于OLED显示技术或柔性OLED显示技术中。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种可用于有机电致发光器件的阳极结构及其制备方法和应用。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)因具有自发光、低能耗、宽视角、色彩丰富、快速响应及可制备柔性屏等诸多优异特性，已成为新一代的平面显示器技术。

铟锡氧化物(ITO)导电膜因具有低电阻率、高透光性、良好的高温稳定性等特点，以及制备和图形加工工艺简单等优点，被作为一种理想的透明电极材料而广泛应用于有机电致发光器件中。

请参见图1，图1所示的是目前广泛使用的有机电致发光器件。如图1所示的，所述有机电致发光器件1由形成于一基板10上的阳极12、有机层14和阴极16组成。其中，所述有机层14包括电子注入层141、电子传输层143、发光层145、空穴传输层147和空穴注入层149。通常，所述阳极12为由高功函高反射率的ITO膜与金属膜(通常为银，Ag)所组成的ITO/Ag/ITO三层叠加的导电膜，而所述阴极16则为为低功函的金属镁与银的Mg/Ag合金。

在上述有机电致发光器件1的制备过程中，为了制备所需要的电极图形，需要对所述由ITO/Ag/ITO三层叠加的导电膜进行湿蚀刻。

请参见图2，图2所示的是上述有机电致发光器件1的阳极制备流程图。由于在湿蚀刻过程中，微结晶化ITO(Micro-crystal ITO,μC-ITO)的产生会引起ITO残渣问题，因而在如图2所示的制备过程中，第一ITO膜及第二ITO膜的成膜是在低温(室温)下进行的，以防止ITO的微结晶化。由于ITO膜与Ag膜的蚀刻率不同，因而如图2所示的，在完成第一ITO膜成膜、Ag膜成膜、第二ITO膜成膜后，需要选用不同的蚀刻液依次对第一ITO膜、Ag膜和第二ITO膜进行湿蚀，从而造成制备工艺的复杂化。

此外，在蚀刻第一层ITO膜时容易发生过蚀刻，而该ITO膜的过蚀刻会引起Ag膜露出，进而造成Ag膜硫化等不良结果。

再者，由于结晶化ITO可以提高ITO膜的穿透率特性，因而如图2所示的，在湿蚀刻处理之后，需要进一步进行退火处理(热处理)，以使ITO膜结晶化。然而，在退火处理中，ITO的结晶化会使得ITO膜表面发生隆起(凹凸)，进而在Ag膜表面产生亚微米级的半球状突起物(即Ag膜发生Hillock现象)，从而导致膜的破坏以及走线短路等问题。

为解决上述ITO膜与Ag膜需要分步蚀刻的问题，目前已开发一种AM-OLED显示屏专用的ITO/Ag/ITO蚀刻液。该专用蚀刻液主要由磷酸、醋酸、硝酸、表面活性剂、添加剂和纯水经搅拌混匀过滤制得。然而，该专用蚀刻液性质不稳定，且在蚀刻过程中难以控制蚀刻角度及Ag膜的蚀刻量，从而影响蚀刻效果的可重复性。

因此，有必要提供一种新的电极材料及应用该电极材料的有机电致发光器件，以克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电极及其制备方法，该电极可以应用于OLED显示技术或柔性OLED显示技术中。有机电致发光器件由于铟锌氧化物膜是非结晶膜，蚀刻率很快，因而在使用本发明所述电极的有机电致发光器件的制备工艺中可以仅使用Ag合金的蚀刻液及设备即可对所述电极进行湿蚀刻，进而实现在同一蚀刻设备上使用同一蚀刻液完成所述电极的蚀刻，达到简化OLED制备工艺的目的。此外，尽管铟锌氧化物膜是非结晶膜，但其具有与结晶化ITO相似的穿透率特性，因而本申请的所述电极的制造过程中不需要进行退火处理，从而避免了退火处理中高温反应造成的所述Ag膜的Hillrock现象。