[发明专利]一种电极及其制备方法和有机电致发光器件在审
| 申请号： | 201810605063.8 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN108777265A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 木村徹 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟锌氧化物 电极 金属膜 有机电致发光器件 合金制成 依次层叠 制备 应用 | ||
1.一种用于有机电致发光器件的电极，所述有机电致发光器件由形成于一基板上的阳极、有机层和阴极组成，其特征在于，所述电极由依次层叠的一第一铟锌氧化物膜、一金属膜和一第二铟锌氧化物膜组成，其中，所述金属膜由Ag合金制成。
2.如权利要求1所述的用于有机电致发光器件的电极，其特征在于，所述第一铟锌氧化物膜的厚度为5nm～40nm；所述金属膜的厚度为80nm～160nm；所述第二铟锌氧化物膜的厚度为5nm～40nm。
3.如权利要求1所述的用于有机电致发光器件的电极，其特征在于，所述Ag合金为银钯铜合金。
4.一种如权利要求1所述的用于有机电致发光器件的电极的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1.提供一成膜基板；
步骤S2.在所述成膜基板上形成一厚度为5nm～40nm的第一铟锌氧化物膜；
步骤S3.在所述第一铟锌氧化物膜上形成一厚度为80nm～160nm的金属膜；以及，
步骤S4.在所述金属膜上形成一厚度为5nm～40nm第二铟锌氧化物膜；
其中，所述金属膜由Ag合金制成。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述成膜基板为玻璃基板、聚酰亚胺基板或薄膜基板。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Ag合金为银钯铜合金。
7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，以直流磁控溅镀制程形成所述第一铟锌氧化物膜、所述金属膜及所述第二铟锌氧化物膜。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述直流磁控溅镀制程中，直流功率为2kW～8kW，溅射气压为0.2Pa～1Pa。
9.一种有机电致发光器件，包括形成于一基板上的一阳极、一有机层和一阴极，其中，如权利要求1所述的电极作为所述阳极。
10.如权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机层包括依次设置的一电子注入层、一电子传输层、一发光层、一空穴传输层和一空穴注入层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
