[发明专利]栅极区域的OPC验证方法

说明书

本发明提供了一种栅极区域的OPC验证方法，所述方法包括：定义栅极区域的特征图形；计算所述特征图形的免检区域；以及依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。本发明所提供的方法在多晶硅层的栅极区域专门设置针对栅极区域的免检区域，具体为通过设置栅极区域特征图形的免检区域来设置栅极区域的免检区域，该方法可以大量的减少由圆角现象导致的栅极区域的误报错数目，提高栅极区域的OPC验证效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种栅极区域的OPC验证方法。

背景技术

在半导体制造掩膜板出版过程中，OPC(OpticalProximityCorrection,光学邻近效应修正)技术已经得到广泛的应用。目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，通过OPC模型的模拟计算得到微影工艺潜在的成像误差，从而对目标图形进行预先修正以补偿光学临近效应造成的图形失真或变形。

随着技术节点的往前推进，半导体制造的特征尺寸不断缩小，对微影成像的精度要求也越来越高，这就要求OPC的修正精度必须达到工艺的需求。在基于模型的OPC方法中，OPC验证已经成为标准的一个步骤，其基本原理是通过对掩膜板图形(也即OPC修正后的图形)进行全局模拟并检查模拟结果是否符合标准，以此判断OPC修正是否合理。

多晶硅层作为影响产品性能最为关键的层次，对最终硅片上尺寸的精度要求也相对较高，尤其对于栅极区域，线宽的控制也更为严格，为了确保OPC的精度达到要求，除了常规的OPC验证，比如图形桥接和图形变窄等，通常还需对栅极进行额外的OPC验证，确保在栅极区域的模拟尺寸与目标尺寸一致，对栅极区域的OPC验证一般采用检查偏差的方法，即比较模拟尺寸和目标尺寸的偏差。

在比较模拟尺寸和目标尺寸的偏差的检查方法中，会在栅极区域设置一个偏差的规范,超过规范的位置会预警报错出来。

由于圆角现象的存在，在OPC验证设置时，会针对圆角现象设置免检区域，但对多晶硅层中的栅极区域进行检查时，因没有设置专门针对栅极区域的免检区域，对栅极区域进行OPC验证时会产生很多误报错，降低了OPC验证的效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种栅极区域的OPC验证方法，以解决目前在对栅极区域进行检查时，因没有专门针对栅极区域的免检区域，会有很多圆角现象导致的误报错，对OPC验证的效率有较大影响的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种栅极区域的OPC验证方法，包括以下步骤：

定义栅极区域的特征图形；

计算所述特征图形的免检区域；以及

依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。

可选的，所述定义栅极区域的特征图形包括定义所述特征图形的形状和尺寸。

可选的，所述特征图形的形状为T型或L型。

可选的，所述尺寸包括第一尺寸和第二尺寸。

可选的，所述栅极区域中栅极层的最小线宽为DR₀，所述第一尺寸为固定值。

可选的，所述第一尺寸为DR₀/2。

可选的，所述第二尺寸的变化范围为DR₀至N倍的DR₀，其中，N为正整数。

可选的，所述定义栅极区域的特征图形的步骤后还包括：根据定义的所述特征图形选出OPC版图栅极区域中的特征图形。

可选的，所述计算所述特征图形的免检区域包括：以所述第一尺寸为步长，在不同所述第二尺寸时，计算选出的特征图形与定义的特征图形开始有差异的位置到有源区层的距离b，得到2N个不同的b值，根据所述2N个不同的b值的平均值，形成所述栅极区域的免检区域。