[发明专利]栅极区域的OPC验证方法有效
| 申请号： | 201810604622.3 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN108681205B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 齐雪蕊;江志兴 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 区域 opc 验证 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，包括，
定义栅极区域的特征图形的形状及尺寸，在OPC模型的版图的栅极区域中选出所述特征图形，所述尺寸包括第一尺寸及第二尺寸；
计算所述特征图形的免检区域，以所述第一尺寸为步长，在不同所述第二尺寸时，计算选出的特征图形与定义的特征图形开始有差异的位置到有源区层的距离b，得到2N个不同的b值，根据所述2N个不同的b值得到一平均值；
获得所述特征图形的免检区域，所述特征图形含有圆角端，以所述圆角端和所述有源区层的交界线为所述免检区域的一边，向所述栅极区域内延伸所述平均值长度，形成所述免检区域；以及，
依据所述免检区域进行栅极区域的OPC验证。
2.如权利要求1所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述特征图形的形状为T型或L型。
3.如权利要求1所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述栅极区域中栅极层的最小线宽为DR0。
4.如权利要求1所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述第一尺寸为DR0/2。
5.如权利要求1所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述第二尺寸的变化范围为DR0至N倍的DR0，其中，N为正整数。
6.如权利要求1所述的栅极区域的OPC验证方法，其特征在于，所述平均值的范围为1/3DR0～2/3DR0。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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