[发明专利]POP结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

底部封装件，包括：

模塑材料；

在所述模塑材料中模制的第一器件管芯，其中，所述第一器件管芯包括第一电连接件，

介电层，形成在所述第一器件管芯上方，其中，至少所述第一电连接件的下部位于所述介电层中，所述模塑材料设置在所述第一电连接件的突出于所述介电层的部分之间的间隙中；

穿透所述模塑材料的组件通孔(TAV)，其中，所述组件通孔的顶端突出于所述模塑材料的顶面；和

位于所述模塑材料上方的第一再分配结构，其中，通过所述第一再分配结构将所述组件通孔与所述第一器件管芯电连接，所述第一再分配结构包括彼此堆叠和接触形成的多个水平介电层以及形成在所述多个水平介电层的每个介电层中的金属线；以及

顶部封装件，包括封装在所述顶部封装件中的分立无源器件和电连接至所述分立无源器件的外部电连接件，其中所述顶部封装件位于所述底部封装件上方并且与所述底部封装件接合，并且所述外部电连接件与所述第一再分配结构直接电连接。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述分立无源器件是分立电容器。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：在所述模塑材料中模制的第二器件管芯，其中所述第一器件管芯和所述第二器件管芯彼此齐平。

4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述第一器件管芯包括第一金属柱，所述第二器件管芯包括第二金属柱，并且所述第一金属柱的端部和所述第二金属柱的端部与所述模塑材料的表面齐平。

5.根据权利要求3所述的器件，其中，所述第一器件管芯和所述第二器件管芯选自基本上由电源管理集成电路(PMIC)管芯、收发器(TRX)管芯和基带管芯所组成的组。

6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：位于所述模塑材料的与所述第一再分配结构相反的面上的第二再分配结构，其中所述第二再分配结构通过所述组件通孔与所述第一再分配结构电连接。

7.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

包含在所述顶部封装件中的另一器件管芯，其中所述另一器件管芯通过焊料区与所述底部封装件接合，所述焊料区位于所述第一再分配结构的上方；以及

位于所述模塑材料中并且与所述另一器件管芯电连接的另一组件通孔。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电连接件的底面与所述模塑材料的底面共面。

9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一电连接件包括竖直边缘。

10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述分立无源器件位于所述第一再分配结构上方并且与所述第一再分配结构通过焊料接缝接合，并且其中所述器件还包括位于所述焊料接缝之间的另一模塑材料。

11.一种半导体器件，包括：

底部封装件，包括：

模塑材料；

在所述模塑材料中模制的第一器件管芯；

穿透所述模塑材料的组件通孔(TAV)，其中，所述组件通孔的顶端突出于所述模塑材料的顶面；和

位于所述模塑材料下方的第一再分配结构，其中，通过所述第一再分配结构将所述组件通孔与所述第一器件管芯电连接，所述第一再分配结构包括彼此堆叠和接触形成的在水平方向上延伸的第一多个水平介电层以及形成在所述第一多个水平介电层的每个介电层中的金属互连件；以及

顶部封装件，位于所述底部封装件上方并且与所述底部封装件接合，其中所述顶部封装件包括：

另一电器件，电连接至所述第一再分配结构；

外部电连接件，电连接至所述另一电器件；和

另一模塑料，在所述另一模塑料中模制所述另一电器件和所述外部电连接件，其中，所述外部电连接件与位于所述模塑材料上方的第二再分配结构直接接触，所述第二再分配结构包括堆叠形成的第二多个介电层以及形成在所述第二多个介电层的每个介电层中的金属互连件。