[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810601417.1 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN108766992B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 陈彩琴 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 有源 矩阵 有机 发光二极管 显示器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上形成屏蔽层;所述屏蔽层用于屏蔽有源矩阵有机发光二极管显示器和主板上各功能单元之间的信号干扰;

在所述屏蔽层上依次形成第一缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、层间绝缘层;

使用掩膜板对所述层间绝缘层进行图案化处理,以使所述层间绝缘层形成两个第一过孔;其中所述两个第一过孔的位置分别与源极和漏极的位置对应;

在经过图案化处理后的层间绝缘层上依次形成所述源极、所述漏极、平坦层、阳极、像素定义层及光阻间隙物;

其中在所述衬底基板的下表面由上至下依次设置有支撑层、第二缓冲层、第三绝缘层、石墨层,其中所述石墨层与主板连接,所述屏蔽层用于省去所述石墨层和所述主板之间的铜箔层。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述屏蔽层为金属膜层。

3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述屏蔽层的材料为钼。

4.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成屏蔽层的步骤包括:

通过磁控溅射工艺在衬底基板上形成屏蔽层。

5.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,

所述两个第一过孔分别用于连接所述源极与所述有源层、以及连接所述漏极与所述有源层。

6.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,所述平坦层上形成有第二过孔,所述第二过孔用于连接所述阳极与所述漏极。

7.一种有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,包括:

依次位于衬底基板上的屏蔽层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、层间绝缘层、源极、漏极、平坦层、阳极、像素定义层以及光阻间隙物;所述屏蔽层用于屏蔽有源矩阵有机发光二极管显示器和主板上各功能单元之间的信号干扰;

所述层间绝缘层设置有两个第一过孔;所述两个第一过孔的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应;

由上至下依次设置在所述衬底基板的下表面的支撑层、第二缓冲层、第三绝缘层、石墨层,其中所述石墨层与主板连接,所述屏蔽层用于省去所述石墨层和所述主板之间的铜箔层。

8.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,所述屏蔽层为金属膜层。

9.根据权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,所述屏蔽层的材料为钼。

10.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,所述屏蔽层是通过磁控溅射工艺在衬底基板上形成的。

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