[发明专利]一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：按照以下步骤完成：

(1)、称取硒粉放入反应容器中，所述硒粉的质量为10～60mg；并称量水合肼与硒粉混合，所述水合肼的体积为0.5～5mL；

(2)、称取氢氧化钠和氢氧化钾共1～8g加入步骤(1)的反应容器中，所述氢氧化钠和氢氧化钾的摩尔比为1:1至1:3；

(3)、称量去离子水或超纯水，加入步骤(2)的反应容器中，密封备用，所述去离子水或超纯水的体积为5～20mL；

(4)、将步骤(3)中得到的密封的反应容器放入超声波设备中，10～20分钟后取出；

(5)、裁剪面积为1～8cm²的铜基材料，用去离子水或超纯水、无水乙醇超声洗涤15～30分钟，备用；

(6)、用浓度为1～3mol/L的稀盐酸浸泡步骤(5)所得铜基材料5～20分钟，取出并用去离子水或超纯水清洗干净，置于步骤(4)的反应容器中并密封；

(7)、将步骤(6)所得的密封反应容器置于反应釜中，并置于能恒温控制的加热设备中进行加热，加热温度为110～180℃，加热时间为4～24小时；

(8)、加热完毕后，将步骤(7)所得的反应釜从加热设备中取出，冷却至室温，将密封反应容器从反应釜中取出，同时将产物取出，经清洗、干燥后，即得在铜基上生长的八硒四铜一钾微米线阵列。

2.根据权利要求1所述一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：所述硒粉、水合肼、氢氧化钾、氢氧化钠均为分析纯，铜基材料为铜片或铜箔或泡沫铜。

3.根据权利要求1所述一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：所述硒粉、氢氧化钾、氢氧化钠、水合肼和去离子水(或超纯水)的用量比为10～60mg：1～8g：1～8g：0.5～5mL：5～20mL。

4.根据权利要求1所述一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中：所述反应容器由耐高温高压、耐酸碱的材料制成。

5.根据权利要求1所述一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：所述反应容器为聚四氟乙烯容器。

6.根据权利要求1所述一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中：所述超声波设备为超声波清洗器或超声波震荡器。

7.根据权利要求1所述一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中：所述加热设备为马弗炉或电阻炉或烘箱或干燥箱。

8.根据权利要求1所述一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤(8)中：所述反应容器自然冷却或用水冷至室温；所述产物用去离子水或超纯水和无水乙醇冲洗，然后自然晾干或热烘干得到最终产品。