[发明专利]晶片级封装及其制造方法在审
申请号: | 201810586712.4 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN109037198A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 韩正勋;朴殷台;河真镐;龙俊佑 | 申请(专利权)人: | 天津威盛电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片级封装 印刷电路基板 电路图案 连接板 衬板 焊板 基板 焊接密封 金属接合 粘合 制造 相隔 配置 | ||
适用本发明的晶片级封装,能够包括:基板,由电路图案部、在与电路图案部相隔一定距离的位置形成的衬板、配置在衬板一侧面上的焊板以及第一保护堤构成;以及印刷电路基板,由连接板以及第二保护堤构成;其中,上述基板和印刷电路基板能够通过上述焊板和上述连接板以及第一保护堤和第二保护堤相互粘合。通过适用本发明的晶片级封装及其制造方法,能够通过对工程进行简化而降低成本。此外,因为通过金属接合而实现焊接密封,因此能够提升其可靠性。
技术领域
本发明涉及一种晶片级封装及其制造方法。
背景技术
声表面波元件采取利用金属薄膜在压电媒介的表面两端设置输入电极以及输出电极之后以高频方式输入并将其转换成声表面波,然后利用输出电极对电波特性进行检测并将其还原成电气信号的构成。
此外,在制造半导体元件时最常用的是在晶片状态下一次性地执行封装工程以及测试之后对芯片进行切割而制造出成品的利用晶片级封装(Wafer Level Package;WLP)的制造方式,为了提升其生产性并节省制造成本,在很多方面都在尝试晶片级封装。此外,为了解决如上所述的晶片级封装的产品不良问题,还在尝试对晶片级封装进行各种变形。
在现有的技术中,已经公开了在半导体封装的电极图案边缘配置保护堤的半导体封装。
但是,如上所述的现有技术在完成元件的制造之后为了进一步制造出模块而在元件的上部形成模塑部时,可能会因为保护堤等结构体发生崩塌而导致制造收率降低且制造成本增加的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可靠性得到提升的晶片级封装及其制造方法。
适用本发明的晶片级封装,能够包括:基板,由电路图案部、在与电路图案部相隔一定距离的位置形成的衬板、配置在衬板一侧面上的焊板以及第一保护堤构成;以及印刷电路基板,由连接板以及第二保护堤构成;其中,上述基板和印刷电路基板能够通过上述焊板和上述连接板以及第一保护堤和第二保护堤相互粘合。
此外,上述焊板能够由单层或多层的导电性物质构成。
此外,上述第一保护堤能够以与上述焊板相同的导电性物质以及结构形成。
此外,在粘合上述焊板和连接板以及第一保护堤和第二保护堤时,其整体结构能够是Cu-Sn-Cu或Au-Sn-Au结构。
此外,当粘合上述焊板和连接板以及第一保护堤和第二保护堤时的整体结构为Cu-Sn-Cu结构时,如果上述焊板以及第一保护堤为Cu-Sn层叠结构,则上述连接板以及第二保护堤能够以Cu单层结构构成,而如果上述焊板以及第一保护堤为Cu单层结构,则上述连接板以及第二保护堤能够由Sn-Cu层叠结构构成。
此外,当粘合上述焊板和连接板以及第一保护堤和第二保护堤时的整体结构为Au-Sn-Au结构时,如果上述焊板以及第一保护堤为Au-Sn层叠结构,则上述连接板以及第二保护堤能够以Au单层结构构成,而如果上述焊板以及第一保护堤为Au单层结构,则上述连接板以及第二保护堤能够由Sn-Au层叠结构构成。
此外,上述电路图案部能够IDT电极部。
适用本发明的晶片级封装的制造方法,能够包括:在基板上形成电路图案部的步骤;在与上述电路图案部相隔一定距离的位置配置衬板的步骤;在上述衬板的一侧面形成二级膜的步骤;在已形成上述二级膜的衬板部分之外的部分形成保护膜的步骤;在上述衬板的一侧面配置焊板以及保护堤的步骤;以及对上述已制造的基板和印刷电路基板进行粘合的步骤;借此,能够通过镀金工艺简单地制造出基板。
此外,上述焊板能够由单层或多层的导电性物质构成。
此外,上述第一保护堤能够以与上述焊板相同的导电性物质以及结构形成。
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