[发明专利]晶片级封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201810586712.4 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109037198A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 韩正勋;朴殷台;河真镐;龙俊佑 | 申请（专利权）人： | 天津威盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片级封装 印刷电路基板 电路图案 连接板 衬板 焊板 基板 焊接密封 金属接合 粘合 制造 相隔 配置 | ||
1.一种晶片级封装，其特征在于，包括：
基板，由电路图案部、在与电路图案部相隔一定距离的位置形成的衬板、配置在衬板一侧面上的焊板以及第一保护堤构成；以及
印刷电路基板，由连接板以及第二保护堤构成；
其中，上述基板和印刷电路基板通过上述焊板和上述连接板以及第一保护堤和第二保护堤相互粘合。
2.根据权利要求1所述的晶片级封装，其特征在于：
上述焊板由单层或多层的导电性物质构成。
3.根据权利要求1所述的晶片级封装，其特征在于：
上述第一保护堤以与上述焊板相同的导电性物质以及结构形成。
4.根据权利要求1所述的晶片级封装，其特征在于：
在粘合上述焊板和连接板以及第一保护堤和第二保护堤时，其整体结构为Cu-Sn-Cu或Au-Sn-Au结构。
5.根据权利要求4所述的晶片级封装，其特征在于：
当粘合上述焊板和连接板以及第一保护堤和第二保护堤时的整体结构为Cu-Sn-Cu结构时，如果上述焊板以及第一保护堤为Cu-Sn层叠结构，则上述连接板以及第二保护堤以Cu单层结构构成，而如果上述焊板以及第一保护堤为Cu单层结构，则上述连接板以及第二保护堤由Sn-Cu层叠结构构成。
6.根据权利要求4所述的晶片级封装，其特征在于：
当粘合上述焊板和连接板以及第一保护堤和第二保护堤时的整体结构为Au-Sn-Au结构时，如果上述焊板以及第一保护堤为Au-Sn层叠结构，则上述连接板以及第二保护堤以Au单层结构构成，而如果上述焊板以及第一保护堤为Au单层结构，则上述连接板以及第二保护堤由Sn-Au层叠结构构成。
7.根据权利要求1所述的晶片级封装，其特征在于：
上述电路图案部为IDT电极部。
8.一种晶片级封装的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成电路图案部的步骤；
在与上述电路图案部相隔一定距离的位置配置衬板的步骤；
在上述衬板的一侧面形成二级膜的步骤；
在已形成上述二级膜的衬板部分之外的部分形成保护膜的步骤；
在上述衬板的一侧面配置焊板以及保护堤的步骤；以及
对上述已制造的基板和印刷电路基板进行粘合的步骤；
借此，通过镀金工艺简单地制造出基板。
9.根据权利要求8所述的晶片级封装的制造方法，其特征在于：
上述焊板由单层或多层的导电性物质构成。
10.根据权利要求8所述的晶片级封装的制造方法，其特征在于：
上述第一保护堤以与上述焊板相同的导电性物质以及结构形成。
11.根据权利要求8所述的晶片级封装的制造方法，其特征在于：
在上述衬板的一侧面配置焊板以及保护堤的步骤中，利用蒸镀器(Evaporator)同时形成构成上述焊板(108)以及第一保护堤(106)的导电性物质。
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