[发明专利]接触插塞的形成方法和刻蚀方法有效
| 申请号： | 201810583112.2 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571190B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王智东;张冬平;谭颖 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 刻蚀 | ||
1.一种接触插塞的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有晶体管、覆盖所述晶体管的介质层、位于介质层上的硬掩模层，所述晶体管包括栅极区和源漏区，所述源漏区覆盖有接触孔蚀刻停止层，所述硬掩模层的材料包括氮氧化硅和/或氮化硅；
执行第一干法刻蚀，以在所述硬掩模层中形成与所述源漏区对应的沟槽；
执行第二干法刻蚀，以在所述沟槽的下方形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔暴露出所述接触孔蚀刻停止层；
执行第三干法刻蚀，以去除剩余的所述硬掩模层和被所述接触孔暴露出的所述接触孔蚀刻停止层；以及
在所述接触孔中填充导电材料以形成接触插塞，其中，所述第三干法刻蚀的工艺气体包含二氧化硫。
2.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀的工艺气体包含二氧化硫。
3.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述接触孔蚀刻停止层的材料包括氮氧化硅和/或氮化硅。
4.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述第三干法刻蚀的工艺气体还包含氧气。
5.如权利要求4所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述二氧化硫的流量为100～200sccm，所述氧气的流量为10～50sccm。
6.如权利要求5所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述第三干法刻蚀的工艺气体还包含氦气，所述氦气的流量为20～100sccm。
7.如权利要求1所述的接触插塞的形成方法，其特征在于，所述晶体管是鳍式场效应晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
