[发明专利]带阻滤波器结构及其形成和操作方法

说明书

本发明的实施例提供了带阻滤波器结构及其形成和操作方法。一种滤波器结构包括接地平面，其中，接地平面位于集成电路(IC)封装件的第一金属层中。该滤波器结构还包括位于IC封装件的第二金属层中的平板。该滤波器结构还包括位于接地平面与平板之间的介电层，其中，接地平面、介电层和平板由此被配置为电容器件。该滤波器结构还包括位于IC封装件的第三金属层中的电感器件，其中，电感器件电连接至平板。

技术领域

本发明的实施例总体涉及电子电路领域，更具体地，涉及带阻滤波器结构及其形成和操作方法。

背景技术

集成电路(IC)封装件通常用于电源分布在一个或多个IC管芯中的应用。通常通过包括多个再分布层(RDL)的后钝化互连(PPI)结构将电源布线至IC封装件中的IC管芯。

随着IC应用变得越来越复杂并且依赖于增大时钟速度和降低电源电压，对诸如同步开关噪声(SSN)和地弹噪声(GBN)的噪声的敏感度增加。用于抑制这种噪声的滤波器的性能有时由S21参数来衡量，该参数也被称为传输系数，其指示由滤波器在给定频率下传输的电源量。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种滤波器结构包括：接地平面，位于集成电路(IC)封装件的第一金属层中；平板，位于所述集成电路封装件的第二金属层中；介电层，位于所述接地平面与所述平板之间，所述接地平面、所述介电层和所述平板由此被配置为电容器件；以及电感器件，位于所述集成电路封装件的第三金属层中，其中，所述电感器件电连接至所述平板。

根据本发明的另一个方面，提供了一种形成滤波器结构的方法，所述方法包括：在集成电路(IC)封装件的第一后钝化互连(PPI)层中形成接地平面；在所述集成电路封装件的第二后钝化互连层中形成平板；在所述接地平面与所述平板之间沉积介电层；在所述集成电路封装件的第三后钝化互连层中形成电感器件；以及在所述平板与所述电感器件之间构建电连接，其中，形成所述接地平面、形成所述平板以及沉积所述介电层是构建电容器件的部分。

根据本发明的又一个方面，提供了一种对信号进行滤波的方法，所述方法包括：在集成电路(IC)封装件中的滤波器结构的第一端子处接收输入信号；用所述滤波器结构来降低所述输入信号的高频分量以生成输出信号；以及在所述滤波器结构的第二端子处提供所述输出信号，其中，所述滤波器结构包括：电感器件，位于所述集成电路封装件的第一金属层中；和电容器件，电连接至所述电感器件，所述电容器件包括位于所述集成电路封装件的第二金属层中的第一平板和位于所述集成电路封装件的第三金属层中的第二平板。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A和图1B是根据一些实施例的带阻滤波器结构的图。

图2是根据一些实施例的IC封装件的截面图的图。

图3A至图3D是根据一些实施例的带阻滤波器结构的图。

图4A和图4B是根据一些实施例的带阻滤波器结构的图。

图5是根据一些实施例的电感器件的图。

图6A至图6C是根据一些实施例的带阻滤波器结构参数的图。

图7是根据一些实施例的形成带阻滤波器结构的方法的流程图。

图8是根据一些实施例的过滤信号的方法的流程图。

具体实施方式