[发明专利]带阻滤波器结构及其形成和操作方法

权利要求书

1.一种滤波器结构包括：

接地平面，位于集成电路(IC)封装件的第一金属层中；

平板，位于所述集成电路封装件的第二金属层中；

介电层，位于所述接地平面与所述平板之间，所述接地平面、所述介电层和所述平板由此被配置为电容器件；以及

电感器件，位于所述集成电路封装件的第三金属层中，

其中，

所述电感器件电连接至所述平板，并且

所述电感器件包括电连接至所述电感器件的中心的两条对称路径。

2.根据权利要求1所述的滤波器结构，其中，所述平板位于所述接地平面与所述电感器件之间。

3.根据权利要求1所述的滤波器结构，其中，所述平板的周边与所述电感器件的周边对齐。

4.根据权利要求1所述的滤波器结构，其中，

所述两条对称路径包括两条对称螺旋路径。

5.根据权利要求4所述的滤波器结构，还包括：通孔，从所述电感器件的中心延伸至所述平板。

6.根据权利要求4所述的滤波器结构，其中，

所述两条对称螺旋路径中的每条路径均具有宽度w，

所述两条对称螺旋路径以间距s分隔开，以及

比率s/w具有从1至2范围内的值。

7.根据权利要求1所述的滤波器结构，其中，

所述平板和所述电感器件是第一单位单元的部分，以及

所述滤波器结构包括含有所述第一单位单元的单位单元阵列。

8.根据权利要求7所述的滤波器结构，其中，所述单位单元阵列的每个单位单元均包括所述接地平面。

9.根据权利要求7所述的滤波器结构，其中，所述单位单元阵列是1×4阵列、1×8阵列、2×3阵列和3×3阵列中的一个。

10.根据权利要求1所述的滤波器结构，其中，所述电感器件是所述集成电路封装件的电源分配路径的部分。

11.一种形成滤波器结构的方法，所述方法包括：

在集成电路(IC)封装件的第一后钝化互连(PPI)层中形成接地平面；

在所述集成电路封装件的第二后钝化互连层中形成平板；

在所述接地平面与所述平板之间沉积介电层；

在所述集成电路封装件的第三后钝化互连层中形成电感器件；以及

在所述平板与所述电感器件之间构建电连接，

其中，

形成所述接地平面、形成所述平板以及沉积所述介电层是构建电容器件的部分，

形成所述平板和形成所述电感器件包括形成沿着与所述接地平面的平面垂直的方向上对准的所述平板的周边和所述电感器件的周边。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述平板与所述电感器件之间构建电连接包括在所述第二后钝化互连层与所述第三后钝化互连层之间构建通孔。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述电感器件包括形成第一螺旋路径和第二螺旋路径，并且所述第一螺旋路径和所述第二螺旋路径是旋转对称的螺旋路径。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，

形成所述电感器件包括形成具有宽度w和间距s的螺旋路径，以及

比率s/w具有从1至2范围内的值。