[发明专利]基板收纳容器、控制装置和异常探测方法

说明书

本发明的目的在于提供一种检测基板收纳容器的内部的污染状态的基板收纳容器、控制装置和异常探测方法。所述基板收纳容器用于收纳基板，在所述基板收纳容器的内部具有能够检测污染状态的监测器，来检测所述基板收纳容器的内部的污染状态。

技术领域

本发明涉及一种基板收纳容器、控制装置和异常探测方法。

背景技术

已知在半导体制造工序中将多个晶圆多层地收纳于基板收纳容器来进行搬送。作为基板收纳容器，使用FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆盒)。

FOUP载置于加载端口(LP：Load Port)。在规定的定时从FOUP搬出晶圆，在设置于基板处理装置的基板处理室(PM：Process Module)中对晶圆进行处理之后，使晶圆返回FOUP。因此，有时在FOUP内混合存在有处理后的产品晶圆(以下称作“处理后晶圆”。)和处理前的产品晶圆(以下称作“处理前晶圆”。)。

在进行了蚀刻处理的晶圆表面吸附有工艺气体、或蚀刻反应未充分进行而在该表面残留有气体、或蚀刻对象物附着于该表面。这些残留物与大气中的水分发生反应，或者成为放出气体(out gas)而逐渐脱离，由此一点点地改变处理后晶圆的表面状态。其结果，处理前晶圆变质，或者形成于处理后晶圆上的器件产生故障(缺陷)，或者器件特性产生变化。

在多数情况下，随着时间经过对晶圆带来不良影响，因此进行晶圆处理后的时间管理(也称作“Q-Time”。)，设为将在规定时间内没有进行到下一工序的晶圆废弃。因此，为了延长规定时间，在收纳有处理后晶圆的FOUP内部利用N₂气体等非活性气体进行置换(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2013-179287号公报

专利文献2：日本特开2017-17154号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1中，不检测基板收纳容器内部的污染状态，以预先决定的流量、预先决定的吹扫时间来供给非活性气体。因此，存在非活性气体的吹扫过度或不充分的问题。

针对上述问题，在一个方面中，本发明的目的在于检测基板收纳容器的内部的污染状态。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种基板收纳容器，所述基板收纳容器用于收纳基板，在所述基板收纳容器的内部具有能够检测污染状态的监测器，来检测所述基板收纳容器的内部的污染状态。

发明的效果

根据一个方面，能够检测基板收纳容器的内部的污染状态。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的一例的图。

图2是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的结构的一例的图。

图3是表示一个实施方式所涉及的加载端口和FOUP的结构的一例的图。

图4是表示一个实施方式所涉及的FOUP贮藏室的结构的一例的图。

图5是表示一个实施方式所涉及的QCM的结构的一例的图。

图6是表示一个实施方式所涉及的QCM的频率测定结果的一例的图。

图7是表示一个实施方式所涉及的QCM的表面状态的一例的图。

图8是表示一个实施方式所涉及的QCM的重量测定结果的一例的图。

图9是表示一个实施方式所涉及的恢复处理的一例的流程图。