[发明专利]基板收纳容器、控制装置和异常探测方法有效
| 申请号: | 201810582590.1 | 申请日: | 2018-06-07 |
| 公开(公告)号: | CN109037126B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | 长池宏史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 收纳 容器 控制 装置 异常 探测 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
多个基板处理室,其用于在真空气氛下对基板进行处理;
真空搬送室,其用于在真空气氛下搬送所述基板;
加载模块,其用于在大气气氛下搬送所述基板;
加载端口,其连接于所述加载模块;
加载互锁室,其设置于所述真空搬送室与所述加载模块之间,并用于对所述大气气氛和所述真空气氛进行切换,来将所述基板在所述真空搬送室和所述加载模块之间进行搬送;
基板收纳容器,其用于收纳所述基板,并载置于所述加载端口;
监测器,用于检测所述基板收纳容器的内部的污染状态;以及
控制部,其用于执行如下处理:
在所述多个基板处理室的各基板处理室中对所述基板进行处理;
将处理后的基板经由所述真空搬送室、所述加载互锁室以及所述加载模块搬送到所述基板收纳容器;
利用所述监测器来检测所述基板收纳容器的内部的污染状态;以及
基于检测到的所述污染状态来执行恢复处理,
其中,所述恢复处理包括:将设置于所述基板收纳容器内的所述处理后的基板经由所述加载模块、所述加载互锁室以及所述真空搬送室搬送到所述多个基板处理室中的任一个,并清洁所述处理后的基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述监测器为晶体振荡器。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述晶体振荡器的表面预先覆盖有抗蚀剂、Si、SiO2以及SiN中的任一种。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述监测器根据在基板处理室中进行基板的处理所使用的规定的气体的种类来设置于所述基板收纳容器的内部的上表面、下表面和侧面中的至少一个面。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在探测到异常的情况下进行错误通知。
6.根据权利要求1或5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在探测到异常的情况下执行所述恢复处理。
7.根据权利要求1或5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部参照累积有获取到的表示污染状态的信息的存储部,在基于累积的规定时间内的表示污染状态的所述信息而探测到所述基板收纳容器的内部的异常的情况下,执行所述恢复处理。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
当在所述基板处理装置的外部探测到所述基板收纳容器的内部的异常的情况下,所述控制部执行如下的恢复处理:将探测到异常的所述基板收纳容器搬送到所述基板处理装置的加载端口、吹扫储存装置、前开式晶圆盒吹扫装置或前开式晶圆盒贮藏室,在所述加载端口、所述吹扫储存装置、所述前开式晶圆盒吹扫装置或前开式晶圆盒贮藏室中向所述基板收纳容器的内部导入非活性气体,或者执行如下的恢复处理:将探测到异常的所述基板收纳容器的内部的基板搬送到所述吹扫储存装置或前开式晶圆盒贮藏室,利用所述吹扫储存装置或前开式晶圆盒贮藏室将被搬送来的基板保持规定时间。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述恢复处理后基于获取到的表示污染状态的信息来再次探测所述基板收纳容器的内部的异常,在再次探测到所述异常的情况下,执行在所述基板处理室中利用规定的气体再次处理基板的恢复处理或者变更所述基板处理室中的基板的处理条件的恢复处理。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述恢复处理后基于获取到的表示污染状态的信息来再次探测所述基板收纳容器的内部的异常,在再次探测到所述异常的情况下,利用检查基板的缺陷的装置来执行所述基板收纳容器的内部的基板的图案检查。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810582590.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:料盒
- 下一篇:一种太阳能电池晶体硅用插片装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





