[发明专利]OLED显示面板在审
申请号: | 201810570070.9 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108538906A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 黄静;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素定义层 阵列基板 封装层 非显示区域 平坦化层 非平面接触面 显示区域 外围 窄边框设计 边缘区域 定义区域 有机层 挡墙 阻挡 贯穿 覆盖 | ||
本发明提供了一种OLED显示面板,包括:阵列基板,所述阵列基板包括显示区域以及所述显示区域外围的非显示区域;设置于所述阵列基板上的平坦化层;设置于所述平坦化层上的像素定义层;设置于所述像素定义层定义区域内并贯穿所述平坦化层与所述阵列基板接触的OLED器件;覆盖所述OLED器件、所述像素定义层以及所述阵列基板的封装层;其中,在非显示区域内,所述像素定义层与所述封装层的接触面为非平面接触面。本发明通过将非显示区域内所述像素定义层与所述封装层的接触面设置为非平面接触面,在将封装层中有机层阻挡在像素定义层边界的同时,减少了外围挡墙的数量,进而缩小了封装层的边缘区域,有利于OLED显示面板的窄边框设计。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,简称OLED)具有自发光、低能耗、宽视角、色彩丰富、快速响应等优良特性,OLED被认为是极具潜力的下一代技术。
目前广泛应用到显示领域的OLED屏幕通常采用顶发射(top-emitting)的器件结构,OLED器件由阳极、有机层和阴极组成。其中,有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
由于有机层和阴极对水和氧气非常敏感,故在制备柔性OLED屏幕时,需采用各种手段来封装有机发光器件。当前,OLED显示面板主要是采用无机/有机/无机的叠层结构以起到在充分隔离外界水氧侵蚀的同时覆盖生产过程中无法避免的颗粒污染物、缓冲弯曲、折叠过程中的应力。
封装结构中有机层的制备通过采用闪蒸、喷墨打印等技术实现;其中,喷墨打印技术具有操作时间短、制备出的有机层平坦化效果好等优点,但是有机层制备过程中使用的有机层单体流动性较大导致有机层的边界不能很好的控制,因此技术人员通过在显示区域的外围设置挡墙的方式来阻挡有机溶液的外溢,从而避免有机溶液外溢导致的相关问题,但是这种结构需要制备至少两圈外围挡墙;这样外围挡墙的设置与现有OLED显示面板窄边框的需求相矛盾。因此,目前亟需一种OLED显示面板以解决上述问题。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板,解决现有OLED显示面板中挡墙的设置与OLED显示面板窄边框的需求相矛盾的问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供了一种OLED显示面板,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括显示区域以及所述显示区域外围的非显示区域;
设置于所述阵列基板上的平坦化层;
设置于所述平坦化层上的像素定义层;
设置于所述像素定义层定义区域内并贯穿所述平坦化层与所述阵列基板接触的OLED器件;
覆盖所述OLED器件、所述像素定义层以及所述阵列基板的封装层;
其中,在非显示区域内,所述像素定义层与所述封装层的接触面为非平面接触面。
根据本发明一优选实施例,所述像素定义层在所述非平面接触面上形成有至少一个挡墙。
根据本发明一优选实施例,所述挡墙位于非显示区域内所述像素定义层的端部位置。
根据本发明一优选实施例,所述挡墙沿所述显示区域至所述非显示区域方向由疏到密排布或者均匀排布。
根据本发明一优选实施例,所述挡墙为梯形,所述挡墙的上表面为锯齿状。
根据本发明一优选实施例,挡墙为有机挡墙。
根据本发明一优选实施例,所述有机层位于所述挡墙的内侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的