[发明专利]OLED显示面板在审
| 申请号： | 201810570070.9 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108538906A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄静;徐湘伦 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素定义层 阵列基板 封装层 非显示区域 平坦化层 非平面接触面 显示区域 外围 窄边框设计 边缘区域 定义区域 有机层 挡墙 阻挡 贯穿 覆盖 | ||
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括显示区域以及所述显示区域外围的非显示区域；
设置于所述阵列基板上的平坦化层；
设置于所述平坦化层上的像素定义层；
设置于所述像素定义层定义区域内并贯穿所述平坦化层与所述阵列基板接触的OLED器件；
覆盖所述OLED器件、所述像素定义层以及所述阵列基板的封装层；
其中，在非显示区域内，所述像素定义层与所述封装层的接触面为非平面接触面。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层在所述非平面接触面上形成有至少一个挡墙。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述挡墙位于所述非显示区域内所述像素定义层的端部位置。
4.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述挡墙沿所述显示区域至所述非显示区域方向由疏到密排布或者均匀排布。
5.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述挡墙为梯形，所述挡墙的上表面为锯齿状。
6.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述挡墙为有机挡墙。
7.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机层位于所述挡墙的内侧。
8.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，部分所述有机层位于所述挡墙的外侧。
9.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层在所述非平面接触面上形成有沟道。
10.根据权利要求9所述的OLED显示面板，其特征在于，所述沟道沿所述显示区域至所述非显示区域方向由疏到密排布或者均匀排布。
11.根据权利要求9所述的OLED显示面板，其特征在于，所述沟道之间深度相同或者不同。
12.根据权利要求9所述的OLED显示面板，其特征在于，所述沟道的深度小于或者等于非显示区域内所述像素定义层的深度。
13.根据权利要求9所述的OLED显示面板，其特征在于，所述沟道的深度大于非显示区域内所述像素定义层的深度并小于或者等于非显示区域内所述像素定义层的深度与所述平坦化层的深度之和。
14.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层在所述非平面接触面上形成有沟道和挡墙。
15.根据权利要求14所述的OLED显示面板，其特征在于，所述沟道位于所述挡墙的内侧。
16.根据权利要求14所述的OLED显示面板，其特征在于，所述沟道与所述挡墙交替分布。
17.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层与所述封装层的非平面接触面为非连续形状和非直线形状中的至少一者。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
