[发明专利]基板加工用暂时粘着薄膜卷、薄型基板的制造方法

说明书

一种基板加工用暂时粘着薄膜卷，其特征在于，具备卷芯和复合薄膜状暂时粘着材料，该复合薄膜状暂时粘着材料卷绕在所述卷芯上且用以将应加工的基板暂时粘着在支撑体上，该复合薄膜状暂时粘着材料具有由热塑性树脂构成的第一暂时粘着材料层(A)、由热固性树脂构成的第二暂时粘着材料层(B)及由与第二暂时粘着材料层不同的热固性树脂构成的第三暂时粘着材料层(C)。一种薄型基板的制造方法，其使用所述基板加工用暂时粘着薄膜卷，该基板加工用暂时粘着薄膜卷能供给一种暂时粘着材料，该暂时粘着材料容易暂时粘着基板与支撑体，且在基板或支撑体上形成暂时粘着层的速度快，对于CVD等热工艺的耐性优异，容易剥离，能提高薄型基板的生产性。

技术领域

本发明涉及一种基板加工用暂时粘着薄膜卷、薄型基板的制造方法。

背景技术

为了实现更进一步的高密度、大容量化，逐渐需要三维的半导体构装。三维构装技术是指下述半导体制作技术：将1个半导体芯片薄型化，进一步一边对此半导体芯片利用硅通孔电极(TSV，through silicon via)进行接线，一边逐渐积层成多层。为了实现此半导体制作技术，需要下述工序：通过磨削非电路形成面(也称作“背面”)来使形成有半导体电路的基板薄型化，进一步在背面进行包含TSV的电极的形成。

以往，硅基板的背面磨削工序中，是在磨削面的相反侧粘贴保护胶带来防止磨削时的基板破损。然而，此胶带是将有机树脂薄膜用于支撑基材，而具有柔软性，但另一方面，强度和耐热性不充分，因而不适合于进行TSV形成工序和在背面的布线层形成工序。

于是，已提案一种系统，其通过隔着粘着层来将半导体基板接合于硅、玻璃等支撑体上，能够充分耐受背面磨削、形成TSV和背面电极的工序。此时重要的是，将基板接合于支撑体上时的粘着层。此粘着层被要求能够无间隙地将基板接合于支撑体上，且需要能够耐受后续工序的充分的耐久性，进一步最后能够简便地将薄型基板从支撑体剥离。由于以这样的方式在最后进行剥离，因此在本说明书中，将此粘着层称作暂时粘着层(或暂时粘着材料层)。

至今为止，作为公知的暂时粘着层与其剥离方法，已提案下述技术：对包含光吸收性物质的粘着材料照射高强度的光，来分解粘着材料层，由此，将粘着材料层从支撑体剥离(专利文献1)；以及，将热熔融性的烃系化合物用于粘着材料，并在加热熔融状态下进行接合、剥离(专利文献2)。前者的技术存在下述问题：需要激光等昂贵的装置，并且每一片基板的处理时间变长等。此外，后者的技术仅利用加热来控制，因此简便，但另一方面，超过200℃的高温时的热稳定性不充分，因此应用范围狭窄。进一步地，这些暂时粘着层也不适合于高阶梯差基板的均匀膜厚的形成、及对于支撑体的完全粘着。

此外，已提案一种将硅酮粘合剂用于暂时粘着材料层的技术(专利文献3)。此技术是使用加成固化型硅酮粘合剂来将基板接合于支撑体上，在剥离时浸渍于能够溶解或分解硅酮树脂的药剂中，来将基板从支撑体分离。因此，需要对每片基板涂布硅酮粘合剂，进一步剥离需要非常长的时间，并且，在溶液状态下直接被积层于基板或支撑体上，因此在涂布工艺中，于基板的中心面与外周面会发生因涂布不均而导致的变形，因而难以应用于实际的制造工艺。

专利文献4中记载了一种暂时粘着剂层，其积层有热塑性树脂和热固性树脂，但由于对基板和支撑体涂布并使用液状暂时粘着材料，因此存在一种到获得形成有暂时粘着材料层的基板和支撑体为止要花费较长时间的问题，并且也无法改善与前述专利文献3同样地发生变形的问题。此外，由于使用了在工艺中的温度区域中具有流动性的树脂层，因此尤其在高温区域中的应用上存在问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-64040号公报；

专利文献2：日本特开2006-328104号公报；

专利文献3：美国专利第7541264号公报；

专利文献4：日本特开2014-131004号公报。

发明内容