[发明专利]一种太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池组件在审
申请号: | 201810565857.6 | 申请日: | 2018-06-04 |
公开(公告)号: | CN108735827A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 李新连;王磊;叶亚宽;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属栅线 太阳能电池片 透明导电层 太阳能电池 太阳能电池组件 透明薄膜层 光透过率 制备 载流子 光电转换效率 外观一致性 电流损失 金属膜层 透光区域 电阻率 子电池 电阻 死区 线条 覆盖 申请 | ||
1.一种太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片包括:
基板以及形成在所述基板一侧的透明导电层,所述透明导电层包括层叠设置的金属栅线和第一透明薄膜层,所述金属栅线靠近所述基板设置。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述透明导电层还包括第二透明薄膜层,所述金属栅线设置在所述第一透明薄膜层和所述第二透明薄膜层之间。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一透明薄膜层的材料包括ITO、FTO、AZO和BZO中的至少一种,所述第二透明薄膜层的材料包括ITO、FTO、AZO和BZO中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述金属栅线的厚度小于或等于20nm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述金属栅线为相互平行的条状结构,所述条状结构的宽度大于或等于5μm且小于或等于50μm,所述条状结构的间距大于或等于1mm且小于或等于5mm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述金属栅线的材料包括Ag、Au、Cu、Ni和Al中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一透明薄膜层的厚度大于或等于10nm且小于或等于300nm。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述基板包括:
衬底,以及依次形成在所述衬底靠近所述透明导电层一侧的底电极、吸收层、缓冲层和高阻层。
9.一种太阳能电池组件,其特征在于,所述太阳能电池组件包括权利要求1至8任一项所述的太阳能电池片。
10.一种太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供基板;
在所述基板的一侧形成透明导电层,所述透明导电层包括层叠设置的金属栅线和第一透明薄膜层,所述金属栅线靠近所述基板设置。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述透明导电层还包括第二透明薄膜层,在所述基板的一侧形成透明导电层的步骤,包括:
在所述基板的一侧依次形成所述第二透明薄膜层、所述金属栅线和所述第一透明薄膜层。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在所述基板的一侧依次形成所述第二透明薄膜层、所述金属栅线和所述第一透明薄膜层的步骤,包括:
通过磁控溅射法在所述基板的一侧形成所述第二透明薄膜层。
13.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在所述基板的一侧依次形成所述第二透明薄膜层、所述金属栅线和所述第一透明薄膜层的步骤,包括:
采用掩膜版,并通过磁控溅射法或蒸镀法在所述第二透明薄膜层背离所述基板的一侧形成所述金属栅线。
14.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在所述基板的一侧依次形成所述第二透明薄膜层、所述金属栅线和所述第一透明薄膜层的步骤,包括:
通过磁控溅射法在所述金属栅线背离所述基板的一侧形成所述第一透明薄膜层。
15.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述提供基板的步骤,包括:
提供衬底;
在所述衬底的一侧依次形成底电极、吸收层、缓冲层以及高阻层;所述透明导电层形成在所述高阻层背离所述衬底的一侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司,未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810565857.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的