[发明专利]一种蒸镀用硅预熔方法

说明书

一种蒸镀用硅预熔方法，包括如下步骤：a)将坩埚表面进行打磨，打磨后用去离子水进行冲洗，冲洗后用无水乙醇清洗；b)将坩埚用氮气吹干；c)初熔操作；d)复熔操作；e)终熔操作。初熔、复熔以及终熔步骤中每次只添加三分之一的单晶硅，可以确保每次熔化时均匀受热，每次熔化时都是二次升温二次降温的过程，有效减少单晶硅蒸发过程中的崩硅问题，从而提高成品率，复熔时比初熔的电子束扫描面积增加，同时复熔时升温过程中电子束功率也比初熔时升温过程中电子束功率增加，可以确保单位质量的单晶硅块的热量一致，终熔升温过程中电子束功率比复熔时电子束功率增加，其目的也是确保单位质量的单晶硅块的热量一致。

技术领域

本发明涉及半导体激光封装技术领域，具体涉及一种蒸镀用硅预熔方法。

背景技术

半导体激光器封装过程中，需要对激光器进行镀膜以提高出光效率和保护激光器的作用，在镀膜过程中经常会用到硅的蒸发，但是在现有技术中控制硅的蒸发速率是一大难点，在蒸镀硅过程中很容易造成崩硅现象，从而导致整炉产品作废。

发明内容

本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种有效降低硅崩溅，提高成品率的蒸镀用硅预熔方法。

本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：

一种蒸镀用硅预熔方法，包括如下步骤：

a)将坩埚表面进行打磨，打磨后用去离子水进行冲洗，冲洗后用无水乙醇清洗；

b)将坩埚用氮气吹干；

c)初熔操作：

c-1)在坩埚中放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；

c-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；

c-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-30分钟；

c-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并保持10-30分钟；

c-5) 降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并保持10-30分钟；

c-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；

d)复熔操作：

d-1)在坩埚中再放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；

d-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；

d-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-40分钟；

d-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；

d-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；

d-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；

e)终熔操作：

e-1) 在坩埚中填满单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持5-25分钟；

e-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；

e-3) 增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持20-60分钟；